NCP5208DR2_集成电路资料查询网

NCP5208
http://onsemi.com
5
典型 运行特性
图示 9. v
DDQ
输入 阻抗 vs. 包围的
温度
T
一个
, 包围的 温度 (
°
c)
7050403020010
55
Z
VDDQ
, v
DDQ
输入 阻抗 (

)
49
43
40
52
46
60
PV
在
= av
在
= v
DDQ
= 2.5 v
ivtt = 0 一个
典型 运行 波形
图示 10. vtt 电流 源 瞬时 图示 11. vtt 电流 下沉 瞬时
(pv
在
= av
在
= v
DDQ
= 1.8 v) (pv
在
= av
在
= v
DDQ
= 1.8 v)
0.4 ms 在, 1.6 ms 止 0.4 ms 在, 1.6 ms 止
upper 查出: vtt 输出 波形, 50 mv/分隔, 交流 结合
更小的 查出: 加载 电流, ivtt, 500 毫安/分隔
upper 查出: vtt 输出 波形, 50 mv/分隔, 交流 结合
更小的 查出: 加载 电流, ivtt, 500 毫安/分隔
图示 12. vtt 电流 源 瞬时 图示 13. vtt 电流 下沉 瞬时
(pv
在
= av
在
= v
DDQ
= 2.5 v) (pv
在
= av
在
= v
DDQ
= 2.5 v)
upper 查出: vtt 输出 波形, 50 mv/分隔, 交流 结合
更小的 查出: 加载 电流, ivtt, 1 一个/分隔
upper 查出: vtt 输出 波形, 50 mv/分隔, 交流 结合
更小的 查出: 加载 电流, ivtt, 1 一个/分隔
0.4 ms 在, 1.6 ms 止 0.4 ms 在, 1.6 ms 止

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NCP5208 http://onsemi.com 5 典型运行特性图示 9. v DDQ 输入阻抗 vs. 包围的温度 T 一个 , 包围的温度 ( ° c) 7050403020010 55 Z VDDQ , v DDQ 输入阻抗 (  ) 49 43 40 52 46 60 PV 在 = av 在 = v DDQ = 2.5 v ivtt = 0 一个典型运行波形图示 10. vtt 电流源瞬时图示 11. vtt 电流下沉瞬时 (pv 在 = av 在 = v DDQ = 1.8 v) (pv 在 = av 在 = v DDQ = 1.8 v) 0.4 ms 在, 1.6 ms 止 0.4 ms 在, 1.6 ms 止 upper 查出: vtt 输出波形, 50 mv/分隔, 交流结合更小的查出: 加载电流, ivtt, 500 毫安/分隔 upper 查出: vtt 输出波形, 50 mv/分隔, 交流结合更小的查出: 加载电流, ivtt, 500 毫安/分隔图示 12. vtt 电流源瞬时图示 13. vtt 电流下沉瞬时 (pv 在 = av 在 = v DDQ = 2.5 v) (pv 在 = av 在 = v DDQ = 2.5 v) upper 查出: vtt 输出波形, 50 mv/分隔, 交流结合更小的查出: 加载电流, ivtt, 1 一个/分隔 upper 查出: vtt 输出波形, 50 mv/分隔, 交流结合更小的查出: 加载电流, ivtt, 1 一个/分隔 0.4 ms 在, 1.6 ms 止 0.4 ms 在, 1.6 ms 止

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