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资料编号:1034030
 
资料名称:NCP5208DR2
 
文件大小: 82K
   
说明
 
介绍:
DDR-I/II Termination Regulator
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
NCP5208
http://onsemi.com
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详细地 运行描述
一般
这 ncp5208 是 一个 直线的 调整器 和 两个都 下沉 和
源 电流 能力 使用 为 起作用的 末端 的
快 切换 逻辑, ddr−i/ii sdram terminations 和
起作用的buses 末端 的 sstl−2/3 逻辑. 这个 设备
能 是 运作 从 一个 单独的 供应 电压 作 低 作 1.7
v. 为 ddr−i 产品, 这 设备 是 有能力 的
sourcing 和 sinking 电流 向上 至 1.5 一个 和 输出
电压管制 至 在里面
±
3%. 这 独立的 电压
偏远的反馈 管脚 确保 更好的 加载 和 线条
规章制度和 快 追踪 能力.
Protective特性 包含 soft−start, 源/下沉
电流 限制 和 内部的 热的 关闭.
additionally, 一个 open−drain vtt ok 输出 信号(pok)
是 提供 为 系统 monitoring. 这 关闭 管脚 (sd)
能 是 使用 至 tri−state 这 调整器 输出 为 suspend 至
内存 (str) 状态. 这个 设备 是 有 在 一个 低 profile,
空间 节省 so−8 包装.
供应 电压 输入
为 增加 flexibility, 独立的 输入 管脚 是 提供 为
各自 必需的 供应 输入. avin 是 这 设备 运行
电压, vddq 是 使用 至 发生 这 内部的 涉及
为 vtt 输出 电压 控制 和 pvin 是 这 电源 栏杆
为 这 直线的 调整器. 这 设备 将 regulate 这 输出
电压,vtt, 和 遵守 至 这 内部的 电压 涉及
发生从 vddq 输入 和 追踪 这 vddq 改变
closely. 这 独立的 pvin 管脚 准许 这 设计者 至
分开这 高 电流 pvin 线条 改变 从 连接
在 这 噪音 敏感的 avin 和 vddq 输入. 自从 这
avin 供应 这 控制 至 这 输出 电源 mosfets,
pvin 应当 总是 是 更小的 比 或者 equal 至 avin.
一代 的 内部的 涉及 电压
这 首要的 函数 的 一个 末端 调整器 是 至
提供 一个 末端 电压, vtt 在 它的 输出, 这个 能
追踪 这 mid−point 的 这 逻辑 电压 水平的 closely, i.e.
½
(vddq). 这 vtt 电压 是 使用 至 terminate 这 总线
电阻器. 这 ncp5208 发生 一个 准确的 涉及
电压内部 和 一个 建造 在 dead−band 至 避免 upper
和 更小的 场效应晶体管 shoot 通过.
偏远的 电压 反馈 感觉到
这 ncp5208 有 一个 独立的 反馈 管脚 至 监控 这
输出 电压 在 这 偏远的 要点. 和 这个 能力, 这
输出 电压 能 是 控制 precisely 在 这 输出
电容所以那 任何 噪音 和 fluctuations along 这 电源
path 能 是 eliminated.
末端 电压 输出 规章制度
这 ncp5208 包含 一个 简单的 直线的 序列 调整器
和 一个 一双 的 控制 错误 放大器, 这个 takes 小心 的
这 电流 源 和 下沉 行动 separately. 这 错误
放大器控制 一个 一双 的 mosfets 至 维持 这
输出 电压 equal 至 这 内部的 涉及 电压 为
两个都 电流 下沉 和 源 情况. 在 顺序 至 避免
这 mosfets turning 在 在 这 一样 时间, 一个 dead−band 是
执行内部 为 safe 运作.
调整器 关闭 函数
这 运作 的 这 ncp5208 能 是 suspended 用
这 关闭 (sd) 管脚 至 地面. 当 这 设备
是 stopped, 这 调整器 输出 将 是 tri−stated 为
suspend 至 内存 (str) 状态 在 pc 产品. 这
关闭 管脚 是 内部 牵引的 高 用 一个 小 电流
源, 如果 这个 特性 是 不 使用, 这个 管脚 能 是 left 打开.
vtt 电源 ok 为 系统 monitoring
ncp5208 提供 一个 额外的 vtt 电源 ok 信号
为 系统 monitoring. 这 vtt 电源 ok (pok) 管脚
变得 低 当 这 vtt 电压 是 在 规章制度 和 有
settled在里面 这 允许 window. 为 记忆
末端产品, 这 系统 能 审查 这个 管脚 至
确保 这 末端 电压 质量 在之前 accessing 这
记忆. 这 pok输出 是 连接 至 一个 open−drain
切换场效应晶体管 和 这 设计者 是 自由 至 拉 这个 管脚 至 任何
规章制度,这 内部的 场效应晶体管 是 转变 在 和 pulls 这
电源 ok 管脚 至 地面.
over−current 保护 为 下沉 和 源 运作
在 顺序 至 提供 保护 为 这 内部的 电源
mosfets, bi−directional 电流 限制 保护 电路
是 执行. 电流 限制 水平 是 内部 设置 在
2.1 一个 典型 为 电流 源 和 2.0 一个 典型 为 电流
下沉 在 2.5 v 运作.
热的 关闭 和 hysteresis
至 保证 safe 运作, ncp5208 提供 on−chip
热的关闭 保护. 当 这 碎片 接合面
温度超过 135
c 典型, 这 部分 将
关闭. 当 这 接合面 温度 falls 后面的 至
105
c 典型, 这 设备 重新开始 正常的 运作.
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