NTMD6N03R2
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典型 场效应晶体管 电的 特性
1.8
1.6
0.8
1.2
0.6
100
10
10,000
0
10
2
4
0.40.2
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
1
0.04
0.03
0.025
765
0.02
0.015
0.01
28
图示 3. on−resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
和 门 电压
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
相比 电压
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
I
DSS
, 泄漏 (na)
−50 0−25 5025
04215
0152010 305
2
6
8
V
DS
≥
10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 125
°
C
150
I
D
= 3 一个
V
GS
= 10 v
12
0.045
0.05
V
GS
= 2.6 v
V
GS
= 10
1 1.2 1.4 1.8
10
4
0
2
6
8
12
1
0.04
0.035
0.03
654
0.02
0.015
0.01
312
0.045
0.05
1000
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
0.80.6 1.6
10 v
6 v
4 v
3.6 v
3.4 v
3.8 v
3.2 v
3 v
2.8 v
3
34 1091112
0.035
t = 125
°
C
t = −55
°
C
t = 25
°
C
21110987
0.025
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 10 v
1
10075 125
1.4
25
V
GS
= 0 v
T
J
= 150
°
C
T
J
= 125
°
C