半导体 组件 industries, llc, 2005
january, 2005 − rev. 1
1
发行 顺序 号码:
ntmd6n03r2/d
NTMD6N03R2
电源 场效应晶体管
30 v, 6 一个, 双 n−channel so−8
特性
•
设计 为 使用 在 低 电压, 高 速 切换 产品
•
过激 低 on−resistance 提供
高等级的 效率 和 extends 电池 生命
− r
ds(在)
= 0.024
, v
GS
= 10 v (典型值)
− r
ds(在)
= 0.030
, v
GS
= 4.5 v (典型值)
•
小型的 so−8 表面 挂载 包装 saves 板 空间
•
二极管 是 典型 为 使用 在 桥 电路
•
二极管 exhibits 高 速, 和 软 恢复
产品
•
dc−dc 转换器
•
计算机
•
Printers
•
cellular 和 cordless phones
•
disk 驱动 和 录音带 驱动
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
30 伏特
gate−to−source 电压 − 持续的 V
GS
20 伏特
流 电流
− 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
− 单独的 脉冲波 (tp
≤
10
s)
I
D
I
DM
6.0
30
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗
@ t
一个
= 25
°
c (便条 1)
@ t
一个
= 25
°
c (便条 2)
P
D
2.0
1.29
Watts
运行 和 存储 温度
范围
T
J
, t
stg
−55 至
+150
°
C
单独的 脉冲波 drain−to−source avalanche
活力 − 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 30 vdc, v
GS
= 5.0 vdc,
V
DS
= 20 vdc, 顶峰 i
L
= 9.0 apk,
l = 10 mh, r
G
= 25
Ω
)
E
作
325 mJ
热的 阻抗
− junction−to−ambient (便条 1)
− junction−to−ambient (便条 2)
R
JA
62.5
97
°
c/w
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的 为 10 秒
T
L
260
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现 和
可靠性 将 是 影响.
1. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 1
″
垫子 大小, t
≤
10 s
2. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 1
″
垫子 大小, t = 稳步的 状态
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
NTMD6N03R2 SO−8 2500/录音带 &放大; 卷轴
so−8, 双
情况 751
样式 11
2
Source−1
Gate−1
Source−2
Gate−2
3
4
1
7
6
5
8
Drain−1
Drain−1
Drain−2
Drain−2
(顶 视图)
管脚 assignments
E6N03 = 设备 代号
L = 组装 location
Y = 年
WW = 工作 week
http://onsemi.com
D
S
G
N−Channel
D
S
G
1
8
V
DSS
R
ds(在)
典型值 I
D
最大值
30 v 24 m
Ω
@ v
GS
= 10 v 6.0 一个
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
标记
图解
E6N03
LYWW
1
8
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