4-202
telcom 半导体, 公司
绝对 最大 ratings*
供应 电压 ......................................................... +20V
输入 电压, 在 一个 或者 在 b ..(v
DD
+ 0.3v) 至 (地 – 5.0v)
最大 碎片 温度................................. +150
°
C
存储 温度 范围 ................ – 65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) ................. +300
°
C
包装 热的 阻抗
cerdip r
θ
j-一个
................................................ 150
°
c/w
cerdip r
θ
j-c
.................................................. 50
°
c/w
pdip r
θ
j-一个
................................................... 125
°
c/w
pdip r
θ
j-c
..................................................... 42
°
c/w
soic r
θ
j-一个
................................................... 155
°
c/w
soic r
θ
j-c
..................................................... 45
°
c/w
运行 温度 范围
c 版本 ............................................... 0
°
c 至 +70
°
C
e 版本 .......................................... – 40
°
c 至 +85
°
C
电源 消耗 (t
一个
≤
70
°
c)
塑料 .............................................................730mW
CerDIP ............................................................800mW
SOIC ...............................................................470mW
*static-敏感的 设备. unused 设备 必须 是 贮存 在 传导性的
材料. 保护 设备 从 静态的 释放 和 静态的 地方. 压力
在之上 那些 列表 下面 "绝对 最大 比率" 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的 和 函数的
运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些
表明 在 这 运作 sections 的 这 规格 是 不 暗指.
暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将
影响 设备 可靠性.
电的 特性:
在 运行 温度 范围 和 4.5v
≤
V
DD
≤
16v, 除非 其它-
wise 指定. 典型 值 是 量过的 在 t
一个
= 25
°
c; v
DD
=16v.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输入
V
IH
逻辑 1 高 输入 电压 2.0 — — V
V
IL
逻辑 0 低 输入 电压 — — 0.8 V
I
在
输入 电流 – 5v
≤
V
在
≤
V
DD
T
一个
= 25
°
c– 1—1
µ
一个
– 40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
C
– 10 — 10
输出
V
OH
高 输出 电压 直流 测试 V
DD
– 0.025 — — V
V
OL
低 输出 电压 直流 测试 — — 0.025 V
R
O
输出 阻抗 V
DD
= 16v, i
O
= 10 毫安 T
一个
= 25
°
C — 2.7 4
Ω
0
°
C
≤
T
一个
≤
70
°
C — 3.3 5
– 40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
C
— 3.3 5
I
PK
顶峰 输出 电流 V
DD
= 16v — 3.0 — 一个
I
REV
获得-向上 保护 职责 循环
≤
2% 0.5 — — 一个
承受 反转 电流 t
≤
300
µ
秒
切换 时间
(便条 1)
t
R
上升 时间 图示 1 T
一个
= 25
°
C — 20 28 nsec
0
°
C
≤
T
一个
≤
70
°
C — 22 33
– 40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
C
—2433
t
F
下降 时间 图示 1 T
一个
= 25
°
C — 20 28 nsec
0
°
C
≤
T
一个
≤
70
°
C — 22 33
– 40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
C
—2433
t
D1
延迟 时间 图示 1 T
一个
= 25
°
C — 35 45 nsec
0
°
C
≤
T
一个
≤
70
°
C — 40 50
– 40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
C
—4050
t
D2
延迟 时间 图示 1 T
一个
= 25
°
C — 35 45 nsec
0
°
C
≤
T
一个
≤
70
°
C — 40 50
– 40
°
C
≤
T
一个
≤
85
°
C
—4050
电源 供应
I
S
电源 供应 电流 V
在
= 3v — 0.5 1.0 毫安
V
在
= 0v — 0.1 0.15
便条:
1. 切换 时间 是 有保证的 用 设计.
V
DD
= 16v
V
DD
= 16v
3a 高-速 场效应晶体管 驱动器
TC1413
TC1413N
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