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4-204
telcom 半导体, 公司
3a 高-速 场效应晶体管 驱动器
TC1413
TC1413N
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V
DD
(伏特)
安静的 供应 电流
vs. 供应 电压
T
一个
= 25
°
C
I
供应
(
µ
一个)
-40 -20 0 20 40 60 80
0
100
200
300
400
500
温度 (
°
c)
安静的 供应 电流
vs. 温度
V
供应
= 16v
I
供应
(
µ
一个)
V
在
= 3v
V
在
= 0v
V
在
= 0v
V
在
= 3v
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
16141210864
V
DD
(伏特)
输入 门槛
vs. 供应 电压
T
一个
= 25
°
C
V
门槛
(伏特)
-40 -20 0 20 40 60 80
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
温度 (
°
c)
输入 门槛
vs. 温度
V
供应
= 16v
V
门槛
(伏特)
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
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7
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9
16141210864
V
DD
(伏特)
高-状态 输出 阻抗
R
ds
(在) w
低-状态 输出 阻抗
R
ds
(在) w
T
一个
= –40
°
C
T
一个
= 85
°
C
T
一个
= 25
°
C
16141210864
V
DD
(伏特)
T
一个
= –40
°
C
T
一个
= 85
°
C
T
一个
= 25
°
C
典型 特性

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4-204 telcom 半导体, 公司 3a 高-速场效应晶体管驱动器 TC1413 TC1413N 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 100 200 300 400 500 16141210864 V DD (伏特) 安静的供应电流 vs. 供应电压 T 一个 = 25 ° C I 供应 ( µ 一个) -40 -20 0 20 40 60 80 0 100 200 300 400 500 温度 ( ° c) 安静的供应电流 vs. 温度 V 供应 = 16v I 供应 ( µ 一个) V 在 = 3v V 在 = 0v V 在 = 0v V 在 = 3v 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 16141210864 V DD (伏特) 输入门槛 vs. 供应电压 T 一个 = 25 ° C V 门槛 (伏特) -40 -20 0 20 40 60 80 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 温度 ( ° c) 输入门槛 vs. 温度 V 供应 = 16v V 门槛 (伏特) V IH V IL V IL V IH 1 2 3 4 5 6 7 8 9 16141210864 V DD (伏特) 高-状态输出阻抗 R ds (在) w 低-状态输出阻抗 R ds (在) w T 一个 = –40 ° C T 一个 = 85 ° C T 一个 = 25 ° C 16141210864 V DD (伏特) T 一个 = –40 ° C T 一个 = 85 ° C T 一个 = 25 ° C 典型特性

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