dg211b/212b
vishay siliconix
文档 号码: 70040
s-00788—rev. h, 24-apr-00
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4-3
测试 情况
除非 否则 指定
d 后缀
–40 至 85
C
参数 标识
v+ = 15 v, v– = –15 v
V
L
= 5 v, v
在
= 2.4 v, 0.8 v
e
温度
一个
最小值
b
Typ
c
最大值
b
单位
相似物 转变
相似物 信号 范围
d
V
相似物
全部 –15 15 V
流-源 在-阻抗 r
ds(在)
V
D
=
10 v, i
S
= 1 毫安
房间
全部
45
85
r
ds(在)
相一致
r
ds(在)
D
,
S
房间 2
源 止 泄漏 电流 I
s(止)
V
S
=
14 v, v
D
=
14 v
房间
全部
–0.5
–5
0.01 0.5
5
一个
流 止 泄漏 电流 I
d(止)
V
D
=
14 v, v
S
=
14 v
房间
全部
–0.5
–5
0.01 0.5
5
nA
流 在 泄漏 电流 I
d(在)
V
S
= v
D
=
14 v
房间
全部
–0.5
–10
0.02 0.5
10
数字的 控制
输入 电压 高 V
INH
全部 2.4
V
输入 电压 低 V
INL
全部 0.8
V
输入 电流 I
INH
或者 i
INL
V
INH
或者 v
INL
全部 –1 1
一个
输入 电容 C
在
房间 5 pF
动态 特性
转变-在 时间 t
在
V
S
=10 v
SFi 2
房间 300
ns
转变-止 时间 t
止
S
看 图示 2
房间 200
ns
承担 injection Q C
L
= 1000 pf, v
g
= 0 v, r
g
= 0
房间 1 pC
源-止 电容 C
s(止)
V
S
=0 v, f = 1 mhz
房间 5
F
流-止 电容 C
d(止)
V
S
= 0 v, f= 1 mhz
房间 5
pF
频道 在 电容 C
d(在)
V
D
= v
S
= 0 v, f = 1 mhz 房间 16
止 分开 OIRR
C
L
= 15 pf, r
L
= 50
V 1 V f 100 kH
房间 90
dB
频道-至-频道 串扰 X
表达
L
p,
L
V
S
= 1 v
RMS
, f = 100 khz
房间 95
dB
电源 供应
积极的 供应 电流 I+
V
在
=0 或者 5 v
房间
全部
10
50
一个
负的 供应 电流 I–
V
在
= 0 或者 5 v
房间
全部
–10
–50
一个
逻辑 供应 电流 I
L
房间
全部
10
50
电源 供应 范围 为
持续的 运作
V
运算
全部
4.5
22 V
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