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资料编号:1053529
 
资料名称:DG211BDJ
 
文件大小: 99K
   
说明
 
介绍:
Improved Quad CMOS Analog Switches
 
 


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dg211b/212b
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
4-4
文档 号码: 70040
s-00788—rev. h, 24-apr-00

  
测试 情况
除非 否则 指定
–40 至 85
C
参数 标识
v+ = 12 v, v– = 0 v
V
L
= 5 v, v
= 2.4 v, 0.8 v
e
温度
一个
最小值
b
Typ
c
最大值
b
单位
相似物 转变
相似物 信号 范围
d
V
相似物
全部 0 12 V
流-源 在-阻抗 r
ds(在)
V
D
= 3 v, 8 v, i
S
= 1 毫安
房间
全部
90 160
200
动态 特性
转变-在 时间 t
V
S
= 8 v
SFi 2
房间 300
ns
转变-止 时间 t
S
看 图示 2
房间 200
ns
承担 injection Q C
L
= 1 nf, v
gen
= 6 v, r
gen
= 0
房间 4 pC
电源 供应
积极的 供应 电流 I+
V
=0 或者 5 v
房间
全部
10
50
一个
负的 供应 电流 I–
V
= 0 或者 5 v
房间
全部
–10
–50
一个
逻辑 供应 电流 I
L
房间
全部
10
50
电源 供应 范围 为
持续的 运作
V
运算
全部
4.5
25 V
注释:
一个. 房间 = 25
c, 全部 = 作 决定 用 这 运行 温度 后缀.
b. 这 algebraic convention 凭此 这 大多数 负的 值 是 一个 最小 和 这 大多数 积极的 一个 最大, 是 使用 在 这个 数据 薄板.
c. 典型 值 是 为 设计 aid 仅有的, 不 有保证的 也不 主题 至 生产 测试.
d. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
e. V
= 输入 电压 至 执行 恰当的 函数.
  
  
85
C
–20 –16 –12 –8 –4 0 4 8 12 16 20
40
50
60
70
80
90
100
110
0
10
20
30
40
50
–15 –10 –5 0 5 10 15
5 v
r
ds(在)
vs. v
D
和 电源 供应 电压
V
D
– 流 电压 (v)
10 v
15 v
20 v
r
ds(在)
vs. v
D
和 温度
V
D
– 流 电压 (v)
125
C
25
C
–55
C
v+ = 15 v
v– = –15 v
30
20
10
60
70
80
90
100
r
ds(在)
– 流-源 在-阻抗 ( )
r
ds(在)
– 流-源 在-阻抗 ( )
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