5/9 2003-12-02
pir 控制
pir 控制
M7612
一華半導體股份有限公司
mosdesign 半导体 corp.
绝对 最大 比率
(ta=25
℃
)
参数
sym.
比率 单位
电源 供应 v
DD
和 遵守 至 v
SS
V
DD
- v
SS
5.6 v
电压 在 任何 管脚
-0.3 至 5.6 V
运行 温度
至p
-20至 70
℃
存储 温度
-65 至 150
℃
电的 特性
特性 sym. 最小值 典型值 最大值 单位 情况
供应 电压 V
DD
4.2 5 5.5 v
保卫 用 电流 I
ST
0.9 1.0 1.2 毫安
运行 电流 I
DD
1.8
—
2.5 毫安 1.8ma ,triac / 2.5ma , 接转
稳固的 电压 V
REF
3.0 3.2 3.4 v v
DD
> 4.2v
源 电流 的 v
REF
I
REF
200
—
—
uA
波纹 的 v
REF
—
—
0.5 mv
输入 和 输出 规章制度 的 v
REF
—
—
0.3%
时间 根基 运行 频率 F
TB
15 16 17 khz
cds 运行 触发 V
t +
1.3 1.7 2.1 v
cds 运行 触发 V
t-
0.6 0.9 1.1 v
cds 源 电流 I
CDS
2.6 3.5 4.4 ua
cds 输出 源 电流 I
源
9 10.4 17.4 毫安
cds 输出 下沉 电流 I
下沉
11.6 13 21 毫安
10
—
1300 c=0.01uf , r=4.7k-1m
计时器 持续时间 的 输出 1 T
OUT1
0.1
—
13
秒
c=100pf , r=4.7k-1m
接转 源 电流 I
RS
—
—
10 毫安
接转 下沉 电流 I
RSINK
—
—
10 毫安
接转 运行 电压 V
RO
13.1
—
18.8 v
triac 下沉 电流 I
TSINK
—
—
15 毫安
TRIAC
源
电流 i
TSOURCE
—
—
50 ua
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