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资料编号:1056983
 
资料名称:2SK2479
 
文件大小: 117556K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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2SK2479
4
瞬时 热的 阻抗 vs. 脉冲波 宽度
pw - 脉冲波 宽度 - s
r
th(t)
- 瞬时 热的 阻抗 - ˚c/W
向前 转移 admittance vs.
流 电流
I
D
- 流 电流 - 一个
| y
fs
| - 向前 转移 admittance - s
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
门 至 源 电压
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
0
10
流 至 源 在-状态
阻抗 vs. 流 电流
门 至 源 截止 电压 vs.
频道 温度
T
ch
- 频道 温度 - ˚c
V
gs(止)
- 门 至 源 截止 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
0.1
100
0.01
0.1
1.0
10
1 000
10 000
1 m 10 m 100 m 1 10 100 1 000
10
µ
µ
100
V
DS
= 20 v
搏动
1
0.1
0.1
1.0
10
1.0 10
5
20 30
搏动
1.0 10
0
5
V
DS
= 10 v
I
D
= 1 毫安
–50
0 50 100 150
0
1
单独的 脉冲波
T
c
= 25 ˚c
10
Rt
h(ch-一个)
= 83.3(˚c/w)
Rt
h(ch-c)
= 1.79(˚c/w)
I
D
= 3 一个
1.5 一个
0.6 一个
T
一个
= –25 ˚c
25 ˚c
75 ˚c
125 ˚c
5
10
搏动
V
GS
= 10 v
15
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