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资料编号：1056983
 
资料名称：2SK2479
 
文件大小： 117556K
   
说明：
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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2SK2479
6
单独的 avalanche 电流 vs.
inductive 加载
l - inductive 加载 - h
I
作
- 单独的 avalanche 电流 - 一个
单独的 avalanche 活力
减额 因素
开始 t
ch
- 开始 频道 温度 - ˚c
活力 减额 因素 - %
1.0
0
25
10
100
100
µ
1 m 10 m 100 m
V
DD
= 150 v
V
GS
= 20 v
→
0
R
G
= 25
Ω
20
80
120
160
50 75 100 125 150
V
DD
= 150 v
R
G
= 25
Ω
V
GS
= 20 v
→
0
I
作
≤
3.0 一个
100
60
40
140
I
作
= 3 一个
E
作
= 5.4 mj
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