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1994
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mos 地方 效应 电源 晶体管
2SK2723
描述
这个 产品 是 n-频道 mos 地方 效应 晶体管
设计 为 高 电流 切换 spplications.
特性
•
低 在-阻抗
R
ds (在) 1
= 40m
Ω
最大值 (v
GS
= 10 v, i
D
= 13 一个)
R
ds (在) 2
= 60m
Ω
最大值 (v
GS
= 4 v, i
D
= 13 一个)
•
低 c
iss
C
iss
= 830 pf 典型值
•
建造-在 g-s 保护 二极管
•
分开的 至-220 包装
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
°
c)
流 至 源 电压 V
DSS
60 V
门 至 源 电压 V
GSS
±
20 V
流 电流 (直流) I
d (直流)
±
25 一个
流 电流 (脉冲波)* I
d (脉冲波)
±
100 一个
总的 电源 消耗 (t
一个
= 25
°
c) P
T
2.0 W
总的 电源 消耗 (t
c
= 25
°
c) P
T
25 W
频道 温度 T
ch
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至 +150
°
C
*PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1%
这 二极管 连接 在 这 门 和 源 的 这 晶体管 serves 作 一个 protector 相反 静电释放. 当 这个
deveice acutally 使用, 一个 addtional 保护 circiut 是 externally 必需的 如果 电压 exceeding 这 评估 电压
将 是 应用 至 这个 设备.
流
源
身体
二极管
门
门 保护
二极管
10.0
±
0.3
包装 维度
(在 millimeter)
mp-45f (分开的 至-220)
4.5
±
0.2
2.7
±
0.2
2.5
±
0.11.3
±
0.2
4
±
0.2
13.5min. 12.0
±
0.2
15.0
±
0.3
3
±
0.1
0.7
±
0.1
1.5
±
0.2
2.54
1.门
2.流
3.源
2.54
123
0.65
±
0.1
3.2
±
0.2
切换
n-频道 电源 mos 场效应晶体管
工业的 使用
文档 非. d10623ej2v0ds00 (2nd 版本)
日期 发行 april 1996 p
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