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资料编号:1057001
 
资料名称:2SK2723
 
文件大小: 82747K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Power Transistors
 
 


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2SK2723
电的 特性 (t
一个
= 25
°
c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 R
ds (在) 1
V
GS
= 10 v, i
D
= 13 一个 28 40 m
在-状态 阻抗 R
ds (在) 2
V
GS
= 4 v, i
D
= 13 一个 45 60 m
门 至 源 截止 电压 V
gs (止)
V
DS
= 10 v, i
D
= 1 毫安 1.0 1.6 2.0 V
向前 转移 admittance
y
fs
V
DS
= 10 v, i
D
= 13 一个 8.0 18 S
流 泄漏 电流 I
DSS
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 10
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
20 v, v
DS
= 0
±
10
µ
一个
输入 电容 C
iss
V
DS
= 10 v 830 pF
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 430 pF
反转 转移 电容 C
rss
f = 1 mhz 185 pF
转变-在 延迟 时间 t
d (在)
I
D
= 13 一个 21 ns
上升 时间 t
r
V
gs (在)
= 10 v 185 ns
转变-止 延迟 时间 t
d (止)
V
DD
= 30 v 100 ns
下降 时间 t
f
R
G
= 10
110 ns
总的 门 承担 Q
G
I
D
= 25 一个 35 nC
门 至 源 承担 Q
GS
V
DD
= 48 v 2.8 nC
门 至 流 承担 Q
GD
V
GS
= 10 v 15 nC
身体 二极管 向前 电压 V
f (s-d)
I
F
= 25 一个, v
GS
= 0 1.0 V
反转 恢复 时间 t
r r
I
F
= 25 一个, v
GS
= 0 60 ns
反转 恢复 承担 Q
r r
di/dt = 100 一个/
µ
s 125 nC
t = 1 s
职责 循环
1 %
V
GS
0
R
G
V
DD
R
L
R
G
= 10
V
GS
波 表格
V
gs (在)
I
D
t
d (在)
t
t
t
r
t
d (在)
t
r
0
10 %
0
10 % 10 %
90 %
90 %
90 %
I
D
波 表格
pg.
d.u.t
V
DD
R
L
50
pg.
d.u.t
t
µ
I
G
= 2 毫安
测试 电路 1 切换 时间 测试 电路 2 门 承担
V
GS
I
D
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