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2N5415
2N5416
硅 pnp 晶体管
■
sgs-thomson preferred salestypes
■
pnp 晶体管
描述 
这 2n5415, 2n5416 是 高 电压 硅
外延的 planar pnp 晶体管 在 电子元件工业联合会 至-39
metal 情况 设计 为 使用 在 消费者 和
工业的 线条-运作 产品.
这些 设备 是 特别 suited 作 驱动器 在
高-电压 低 电流 反相器, 切换 和
序列 regulators.
内部的  图式  图解
六月 1997
至-39
绝对  最大  比率
标识 参数 值 单位
2N5415 2N5416
V
CBO
集电级-根基 电压 (i
E
= 0) -200 -350 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (i
B
= 0) -200 -300 V
V
EBO
发射级-根基 电压 (i
C
= 0) -4 -6 V
I
C
集电级 电流 -1 一个
I
B
根基 电流 -0.5 一个
P
tot
总的 消耗 在 t
c
≤
25
o
C10W
P
tot
总的 消耗 在 t
amb
≤
50
o
C1W
T
stg
存储 温度 -65 至 200
o
C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 200
o
C
1/4

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2N5415 2N5416 硅 pnp 晶体管 ■ sgs-thomson preferred salestypes ■ pnp 晶体管描述这 2n5415, 2n5416 是高电压硅外延的 planar pnp 晶体管在电子元件工业联合会至-39 metal 情况设计为使用在消费者和工业的线条-运作产品. 这些设备是特别 suited 作驱动器在高-电压低电流反相器, 切换和序列 regulators. 内部的图式图解六月 1997 至-39 绝对最大比率标识参数值单位 2N5415 2N5416 V CBO 集电级-根基电压 (i E = 0) -200 -350 V V CEO 集电级-发射级电压 (i B = 0) -200 -300 V V EBO 发射级-根基电压 (i C = 0) -4 -6 V I C 集电级电流 -1 一个 I B 根基电流 -0.5 一个 P tot 总的消耗在 t c ≤ 25 o C10W P tot 总的消耗在 t amb ≤ 50 o C1W T stg 存储温度 -65 至 200 o C T j 最大值运行接合面温度 200 o C 1/4

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