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资料编号:1060166
 
资料名称:2N5416
 
文件大小: 68470K
   
说明
 
介绍:
SILICON PNP TRANSISTORS
 
 


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热的 数据
R
thj-情况
R
thj-amb
热的 阻抗 接合面-情况 最大值
热的 阻抗 接合面-包围的 最大值
17.5
175
o
c/w
o
c/w
电的 特性
(t
情况
= 25
o
c 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止
电流 (i
E
= 0)
2N5415
V
CB
= -175 v
2N5416
V
CB
= -280 v
-50
-50
µ
一个
µ
一个
I
CEO
集电级 截-止
电流 (i
B
= 0)
V
CE
= -150 v -50
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流
(i
C
= 0)
2N5415
V
EB
= -4 v
2N5416
V
EB
= -6 v
-20
-20
µ
一个
µ
一个
V
CER
集电级-发射级
sustaining 电压
I
C
= -50 毫安 r
= 50
2N5416
-350 V
V
ceo(sus)
集电级-发射级
sustaining 电压
I
C
= -10 毫安
2N5415
2N5416
-200
-300
V
V
V
ce(sat)
集电级-发射级
饱和 电压
I
C
= -50 毫安 i
B
= -5 毫安 -2.5 V
V
根基-发射级 电压 I
C
= -50 毫安 v
CE
= -10 v -1.5 V
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= -50 毫安 v
CE
= -10 v
2N5415
2N5416
30
30
150
120
h
fe
小 信号 电流
增益
I
C
= -5 毫安 v
CE
= -10 v f = 1khz 25
f
T
转变 频率 I
C
= -10 毫安 v
CE
= -10 v f = 5mhz 15 MHz
C
CBO
集电级 根基
电容
I
E
= 0 v
CB
= -10 v f = 1mhz 25 pF
搏动: 脉冲波 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环 1.5 %
2n5415 / 2n5416
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