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1995
数据 薄板
mos 地方 效应 电源 晶体管
µ
PA1710
描述
这个 产品 是 p-频道 mos 地方 效应 晶体管
设计 为 直流/直流 转换器 和 电源 管理
产品 的 notebook 计算机.
特性
• 低 在-阻抗
R
ds(在)1
= 70 m
Ω
最大值.(v
GS
= –10v, i
D
= –2.5a)
R
ds(在)2
= 0.16
Ω
最大值.(v
GS
= –4v, i
D
= –2.0a)
• 低 c
iss
C
iss
= 980pf 典型值
• 建造-在 g-s 保护 二极管
• 小 和 表面 挂载 包装
(电源 sop8)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 ˚c, 所有 terminals 是 连接)
流 至 源 电压 V
DSS
–30 V
门 至 源 电压 V
GSS
20 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
5.0 一个
流 电流 (脉冲波)* I
d(脉冲波)
20 一个
总的 电源 消耗 (t
一个
= 25
°
c)** P
T
2.0 W
频道 温度 T
ch
150 ˚C
存储 温度 T
stg
–50 至 +150 ˚C
*PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1%
** 挂载 在 陶瓷的 基质 的 1200 mm
2
×
0.7 mm
这 二极管 连接 在 这 门 和 源 的 这 晶体管 serves 作 一个 protector 相反 静电释放. 当 这个
设备 的确 使用, 一个 额外的 保护 电路 是 externally 必需的 如果 电压 exceeding 这 评估 电压 将
是 应用 至 这个 设备.
文档 非. g10888ej2v0ds00 (2nd 版本)
日期 发行 april 1996 p
打印 在 日本
包装 维度
(在 millimeter)
切换
p-频道 电源 mos fft
工业的 使用
这 信息 在 这个 文档 是 主题 至 改变 没有 注意.
–
+
–
+
–
+
流
源
门
门 保护
二极管
身体
二极管
5.37 最大值
4.4
0.78max
1.8max
1.27
0.40
+0.10
–0.05
0.12
M
1.44
0.5±0.2
0.15
+0.10
–0.05
6.0±0.3
0.8
0.10
85
1
4
1,2,3 ; 源
4 ; 门
5,6,7,8 ; 流
0.05 最小值
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