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资料编号:1061629
 
资料名称:uPA1710
 
文件大小: 81228K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Power Transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
µ
PA1710
2
电的 特性 (t
一个
= 25 ˚c, 所有 terminals 是 连接)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 在-状态 阻抗 R
ds(在)1
V
GS
= –10v, i
D
= –2.5a 50 70 m
R
ds(在)2
V
GS
= –4v, i
D
= –2.0a 110 160 m
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
V
DS
= –10v, i
D
= –1ma –1.0 –1.5 –2.5 V
向前 转移 admittance | y
fs
| V
DS
= –10v, i
D
= –2.5a 3.0 5.0 S
流 泄漏 电流 I
DSS
V
DS
= –30v, v
GS
= 0 –10
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
= 20v, v
DS
= 0 10
µ
一个
输入 电容 C
iss
V
DS
= –10v 980 pF
输出 电容 C
oss
V
GS
=0 780 pF
反转 转移 电容 C
rss
f = 1mhz 430 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
id = –2.5a 25 ns
上升 时间 t
r
V
gs(在)
= –10v 80 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= –15v 100 ns
下降 时间 t
f
R
G
= 10
100 ns
总的 门 承担 Q
G
I
D
= –5.0a 38 nC
门 至 源 承担 Q
GS
V
DD
= –24v 3.6 nC
门 至 流 承担 Q
GD
V
GS
= –10v 17 nC
身体 二极管 向前 电压 V
f(s-d)
I
F
= 5.0a, v
GS
= 0 0.8 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 5.0a, v
GS
= 0 85 ns
反转 恢复 承担 Q
rr
di/dt = 50a/
µ
s 200 nC
测试 电路 1 切换 时间 测试 电路 2 门 承担
+
+
d.u.t.
50
pg.
V
DD
I
G
= 2 毫安
R
L
V
gs (在)
90 %
0
10 %
90 %
I
D
0
10 %
I
D
V
GS
90 %
10 %
t
d (在)
t
t
t
r
t
d (止)
t
f
V
GS
波 表格
I
D
波 表格
t =
1
s
职责 循环
=
<
1 %
t
V
GS
0
pg.
R
G
R
G
= 10
d.u.t.
R
L
V
DD
µ
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