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半导体 组 2
smbt 3904
电的 特性
在
T
一个
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
UnitValues
参数 标识
最小值 典型值 最大值
直流 特性
vcollector-发射级 损坏 电压
I
C
= 1 毫安
V
(br)ce0
40 – –
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 10
µ
一个
V
(br)cb0
60 – –
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10
µ
一个
V
(br)eb0
6––
nacollector-根基 截止 电流
V
CB
= 30 v
I
CB0
––50
–直流 电流 增益
I
C
= 100
µ
一个
, v
CE
= 1 V
I
C
=     1 毫安,
V
CE
= 1 V
I
C
=   10 毫安,
V
CE
= 1 V
1)
I
C
=   50 毫安,
V
CE
= 1 V
1)
I
C
= 100 毫安,
V
CE
= 1 V
1)
h
FE
40
70
100
60
30
–
–
–
–
–
–
–
300
–
–
vcollector-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 10 毫安
, i
B
= 1 毫安
I
C
= 50 毫安
, i
B
= 5 毫安
V
CEsat
–
–
–
–
0.2
0.3
根基-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 10 毫安
, i
B
= 1 毫安
I
C
= 50 毫安
, i
B
= 5 毫安
V
BEsat
0.65
–
–
–
0.85
0.95
1)
脉冲波 测试 情况:
t
≤
300
µ
s,
D
= 2 %.

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半导体组 2 smbt 3904 电的特性在 T 一个 = 25 ˚c, 除非否则指定. UnitValues 参数标识最小值典型值最大值直流特性 vcollector-发射级损坏电压 I C = 1 毫安 V (br)ce0 40 – – 集电级-根基损坏电压 I C = 10 µ 一个 V (br)cb0 60 – – 发射级-根基损坏电压 I E = 10 µ 一个 V (br)eb0 6–– nacollector-根基截止电流 V CB = 30 v I CB0 ––50 –直流电流增益 I C = 100 µ 一个 , v CE = 1 V I C = 1 毫安, V CE = 1 V I C = 10 毫安, V CE = 1 V 1) I C = 50 毫安, V CE = 1 V 1) I C = 100 毫安, V CE = 1 V 1) h FE 40 70 100 60 30 – – – – – – – 300 – – vcollector-发射级饱和电压 1) I C = 10 毫安 , i B = 1 毫安 I C = 50 毫安 , i B = 5 毫安 V CEsat – – – – 0.2 0.3 根基-发射级饱和电压 1) I C = 10 毫安 , i B = 1 毫安 I C = 50 毫安 , i B = 5 毫安 V BEsat 0.65 – – – 0.85 0.95 1) 脉冲波测试情况: t ≤ 300 µ s, D = 2 %.

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