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半导体 组 3
smbt 3904
电的 特性
在
T
一个
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
dbnoise 图示
I
C
= 100
µ
一个
, v
CE
= 5 v,
R
S
= 1 k
Ω
,
f
= 1 kHz
F
––5
mhztransition 频率
I
C
= 10 毫安
, v
CE
= 20 v,
f
= 100 MHz
f
T
300 – –
pfoutput 电容
V
CB
= 5 v,
f
= 1 mhz
C
obo
––4
交流 特性
UnitValuesParameter 标识
最小值 典型值 最大值
输入 电容
V
EB
= 0.5 v,
f
= 1 mhz
C
ibo
––8
k
Ω
输入 阻抗
I
C
= 1 毫安
, v
CE
= 10 v,
f
= 1 khz
h
11e
1–10
10
–4
打开-电路 反转 电压 转移 比率
I
C
= 1 毫安
, v
CE
= 10 v,
f
= 1 khz
h
12e
0.5 – 8
–short-电路 向前 电流 转移 比率
I
C
= 1 毫安
, v
CE
= 10 v,
f
= 1 khz
h
21e
100 – 400
µ
sopen-电路 输出 admittance
I
C
= 1 毫安
, v
CE
= 10 v,
f
= 1 khz
h
22e
1–40
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 3 v,
I
C
= 10 毫安
, i
B1
= 1 毫安
V
是(止)
= 0.5 V
延迟 时间
上升 时间
V
CC
= 3 v,
I
C
= 10 毫安
, i
B1
=
I
B2
= 1 毫安
存储 时间
下降 时间
(看 图解)
t
d
t
r
t
stg
t
f
–
–
–
–
–
–
–
–
35
35
200
50

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半导体组 3 smbt 3904 电的特性在 T 一个 = 25 ˚c, 除非否则指定. dbnoise 图示 I C = 100 µ 一个 , v CE = 5 v, R S = 1 k Ω , f = 1 kHz F ––5 mhztransition 频率 I C = 10 毫安 , v CE = 20 v, f = 100 MHz f T 300 – – pfoutput 电容 V CB = 5 v, f = 1 mhz C obo ––4 交流特性 UnitValuesParameter 标识最小值典型值最大值输入电容 V EB = 0.5 v, f = 1 mhz C ibo ––8 k Ω 输入阻抗 I C = 1 毫安 , v CE = 10 v, f = 1 khz h 11e 1–10 10 –4 打开-电路反转电压转移比率 I C = 1 毫安 , v CE = 10 v, f = 1 khz h 12e 0.5 – 8 –short-电路向前电流转移比率 I C = 1 毫安 , v CE = 10 v, f = 1 khz h 21e 100 – 400 µ sopen-电路输出 admittance I C = 1 毫安 , v CE = 10 v, f = 1 khz h 22e 1–40 ns ns ns ns V CC = 3 v, I C = 10 毫安 , i B1 = 1 毫安 V 是(止) = 0.5 V 延迟时间上升时间 V CC = 3 v, I C = 10 毫安 , i B1 = I B2 = 1 毫安存储时间下降时间 (看图解) t d t r t stg t f – – – – – – – – 35 35 200 50

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