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半导体 组 5 05.96
电路 描述
这 单独的 函数的 sections 的 这 设备 和 它们的 interactions 是 描述
在下.
电源 供应 在
V
S
这 设备 做 不 使能 这 输出 直到 这 转变-在 门槛 的
V
S
是 超过. 这
职责 因素 (起作用的 时间/时期) 能 然后 上升 从 零 至 这 值 设置 和 k1 在 这 时间
决定 用 这 软 开始. 这 转变-止 门槛 lies 在下 这 转变-在 门槛.
在下 这 转变-止 门槛 这 输出 q sip 是 reliably 低.
频率 发生器
这 频率 是 mainly 决定 用 关闭-容忍 外部 组件 和 这
校准 涉及 电压.
这 切换 频率 在 这 输出 能 是 设置 用 合适的 选择 的
R
t
和
C
t
.
这 最大 可能 职责 因素 能 是 减少 用 一个 定义 数量 用 意思 的 一个
电阻 从
C
T
至 0v 地. 这 最大 可能 职责 因素 能 是 增加 用 一个
定义 数量 用 意思 的 一个 电阻 从
C
T
至
V
S
.
ramp 发生器
这 ramp 发生器 是 控制 用 这 频率 发生器 和 运作 和 这 一样
频率. 电容
C
r
在 这 ramp 发生器 是 释放 用 一个 内部-设置 电流
和 charged 通过 一个 电流 设置 externally. 这 持续时间 的 这 下落 边缘 的 这 ramp
发生器 输出 必须 是 shorter 比 它的 上升 时间. 仅有的 然后 做 这 upper 和 更小的
切换 水平 的 这 ramp 发生器 信号 有 它们的 名义上的 值.
在 “voltage 模式 control” 运作, 这 rising 边缘 的 这 ramp 发生器 信号 是
对照的 和 一个 externally 设置 直流 电压 在 比较器 k1 为 脉冲波-宽度 控制 在
这 输出. 这 斜度 的 这 rising 边缘 是 设置 用 这 电流 通过
R
r
. 这 电压
源 连接 至
R
r
能 是 这 smps 输入 电压. 这个 制造 它 可能 至 控制
这 职责 因素 为 一个 常量 volt-第二 产品 在 这 输出. 这个 控制 选项
(precontrol) 准许 equalization 的 知道 干扰 (e.g. 输入 电压 波纹).
superimposed 加载 电流 控制 (电流 模式 控制) 能 也 是 执行. 为
这个 目的 这 真实的 电流 在 这 源 的 这 sipmos 晶体管 是 sensed 和
对照的 和 这 指定 值 在 比较器 k5.
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