tda 4916 gg
半导体 组 9 05.96
当 这 供应 至 这 转变-模式 电源 供应 是 切换 在, 这 电容的
displacement 电流 从 这 门 的 这 sipmos 晶体管 是 安排 至 这
smoothing 电容 在
V
S
qsip 用 这 二极管 连接 至
V
S
qsip. 这 电压 在
V
S
qsip 将 reach 关于 2.3 v 在 这 处理 没有 这 sipmos 晶体管 正在
转变-在.
这 二极管 连接 至 地面 clamps 负的 电压 在 q sip 至 minus 0.7 v.
电容的 电流 这个 出现 和 电压 dips 在 这 流 终端 的 这 sipmos
晶体管 能 然后 流动 away unimpeded.
这 输出 是 起作用的 低 和 供应 电压 在
V
S
和
V
S
qsip 从 关于 4 v 在. 这
函数 的 这 二极管 连接 至
V
S
qsip 和 这 电阻 是 然后 带去 在 用 这
拉-向下 源.
这 二 地面 terminals 0v sqip 和 0v 地 能 lie 在 不同的 水平. 这个 准许
连接 至 是 制造 至 这 sipmos 晶体管 在 此类 一个 方法 那 这 驱动 电流
为 这 门 做 不 流动 至 这 源 通过 这 电流-感觉到 电阻. 这 最大
容许的 水平的 differences 在 0v 地 和 0v sqip 是 给 下面 函数的
范围. 如果 更好 水平的 differences 是 预期, 它 是 更好的 至 join 这 二 terminals.