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tle 4264 g
半导体 组 4 1998-11-01
绝对 最大 比率
T
j
= – 40 至 150
°
C
参数 标识 限制 值 单位 注释
最小值 最大值
输入
输入 电压
V
I
–42 45 V –
输入 电流
I
I
– – – 限制 内部
输出
输出 电压
V
Q
–1 16 V –
输出 电流
I
Q
– – – 限制 内部
地面
电流
I
地
50 – 毫安 –
温度
接合面 温度
T
j
–150
°
C–
存储 温度
T
stg
–50 150
°
C–
运行 范围
输入 电压
V
I
5.5 45 V –
接合面 温度
T
j
–40 150
°
C–
热的 抵制
系统-空气
R
th sa
– 100 k/w 焊接 在
系统-情况
R
th sc
–25k/w–

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tle 4264 g 半导体组 4 1998-11-01 绝对最大比率 T j = – 40 至 150 ° C 参数标识限制值单位注释最小值最大值输入输入电压 V I –42 45 V – 输入电流 I I – – – 限制内部输出输出电压 V Q –1 16 V – 输出电流 I Q – – – 限制内部地面电流 I 地 50 – 毫安 – 温度接合面温度 T j –150 ° C– 存储温度 T stg –50 150 ° C– 运行范围输入电压 V I 5.5 45 V – 接合面温度 T j –40 150 ° C– 热的抵制系统-空气 R th sa – 100 k/w 焊接在系统-情况 R th sc –25k/w–

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