TLE4264G_集成电路资料查询网

半导体 组 7 1998-11-01
tle 4264 g
漏出 电压
V
Dr
相比
输出 电流
I
Q
电流 消耗量
I
q
相比
输出 电流
I
Q
电流 消耗量
I
q
相比
输入 电压
V
i
电流 消耗量
I
q
相比
输出 电流
I
Q
Dr
V
Ι
Q
0
25
100
200
300
400
500
600
mV
800
50 100
毫安
175
75
125
=
C125
25 C=
700
j
T
j
T
Ι
Q
0
0
AED01980
毫安
15050 100
Ι
q
2
4
6
8
毫安
12
V
i
= 13.5 v
10
0
0
AED01979
R
=
Ι
q
V
L
50
Ω
10 20 30
V
50
5
10
毫安
15
Ω
100
L
=
R
i
40
Ι
Q
0
0
AED01981
毫安
3010 20
Ι
q
0.5
1.0
1.5
2.0
毫安
3.0
V
i
= 13.5 v
5
15
2.5

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半导体组 7 1998-11-01 tle 4264 g 漏出电压 V Dr 相比输出电流 I Q 电流消耗量 I q 相比输出电流 I Q 电流消耗量 I q 相比输入电压 V i 电流消耗量 I q 相比输出电流 I Q Dr V Ι Q 0 25 100 200 300 400 500 600 mV 800 50 100 毫安 175 75 125 = C125 25 C= 700 j T j T Ι Q 0 0 AED01980 毫安 15050 100 Ι q 2 4 6 8 毫安 12 V i = 13.5 v 10 0 0 AED01979 R = Ι q V L 50 Ω 10 20 30 V 50 5 10 毫安 15 Ω 100 L = R i 40 Ι Q 0 0 AED01981 毫安 3010 20 Ι q 0.5 1.0 1.5 2.0 毫安 3.0 V i = 13.5 v 5 15 2.5

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