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tle 4267
半导体 组 10 1998-11-01
使能 和 支撑 behaviour
AET01986
e2,
V
在
V
e2, 止
V
E2
V
i
V
RT
V
Q
d,
V
V
dT
V
ST
d
V
r,
V
V
R
t
d
V
E6
V
e6,
V
e6,
V
q,
10 s<<1
10)
5)
1)
2) 4)
6)
8)
9)
3)
1) 使能 起作用的
支撑 inactive, 牵引的 向上 用 2)
Q
V
3) 电源-在 重置
4) 支撑 起作用的, clamped 至
地 用 外部
µ
5) 使能 inactive, clamped 用 int.
拉-向下 电阻
6) 脉冲波 宽度 小 比 1 s
7) 支撑 inactive, released 用
8) 电压 控制 关闭
9) 输出-低 重置
10) 非 转变 在 通过
V
E6
可能 之后 e6
是 released 至
V
E6
>
V
e6, rel
为 更多
比 4
sat
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支撑
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C
C
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tle 4267 半导体组 10 1998-11-01 使能和支撑 behaviour AET01986 e2, V 在 V e2, 止 V E2 V i V RT V Q d, V V dT V ST d V r, V V R t d V E6 V e6, V e6, V q, 10 s<<1 10) 5) 1) 2) 4) 6) 8) 9) 3) 1) 使能起作用的支撑 inactive, 牵引的向上用 2) Q V 3) 电源-在重置 4) 支撑起作用的, clamped 至地用外部 µ 5) 使能 inactive, clamped 用 int. 拉-向下电阻 6) 脉冲波宽度小比 1 s 7) 支撑 inactive, released 用 8) 电压控制关闭 9) 输出-低重置 10) 非转变在通过 V E6 可能之后 e6 是 released 至 V E6 > V e6, rel 为更多比 4 sat sat s rel 支撑 s t t C C µ µ µ µµ

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