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tle 4267
半导体 组 6 1998-11-01
特性
V
I
= 13.5 v; – 40
°
c <
T
J
< 125
°
c;
V
E2
> 4 v (除非 指定 否则)
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值
输出 电压
V
Q
4.9 5 5.1 V 5 毫安
≤
I
Q
≤
400 毫安
6 v
≤
V
I
≤
26 v
输出 电压
V
Q
4.9 5 5.1 V 5 毫安
≤
I
Q
≤
150 毫安
6 v
≤
V
I
≤
40 v
输出-电流 限制的
I
Q
500 – – 毫安
T
J
= 25
°
C
电流 消耗量
I
q
=
I
I
–
I
Q
I
q
––50
µ
一个 调整器-止
电流 消耗量
I
q
=
I
I
–
I
Q
I
q
–1.010
µ
一个
T
J
= 25
°
C
ic 转变 止
电流 消耗量
I
q
=
I
I
–
I
Q
I
q
–1.34ma
I
Q
= 5 毫安
ic 转变 在
电流 消耗量
I
q
=
I
I
–
I
Q
I
q
––60mA
I
Q
= 400 毫安
电流 消耗量
I
q
=
I
I
–
I
Q
I
q
––80mA
I
Q
= 400 毫安
V
I
= 5 v
漏出 电压
V
Dr
–0.30.6v
I
Q
= 400 毫安
1)
加载 规章制度
∆
V
Q
––50mv5 毫安
≤
I
Q
≤
400 毫安
供应-电压
规章制度
∆
V
Q
– 1525mV
V
I
= 6 至 36 v;
I
Q
= 5
毫安
供应-电压 拒绝
SVR
–54–dB
f
r
= 100 hz;
V
r
= 0.5
V
pp
longterm 稳固
∆
V
Q
–0–mv1000 h
1) 漏出 电压 =
V
I
–
V
Q
(量过的 当 这 输出 电压
V
Q
有 dropped 100 mv 从 这
名义上的 值 得到 在
V
I
= 13.5 v)

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tle 4267 半导体组 6 1998-11-01 特性 V I = 13.5 v; – 40 ° c < T J < 125 ° c; V E2 > 4 v (除非指定否则) 参数标识限制值单位测试情况最小值典型值最大值输出电压 V Q 4.9 5 5.1 V 5 毫安 ≤ I Q ≤ 400 毫安 6 v ≤ V I ≤ 26 v 输出电压 V Q 4.9 5 5.1 V 5 毫安 ≤ I Q ≤ 150 毫安 6 v ≤ V I ≤ 40 v 输出-电流限制的 I Q 500 – – 毫安 T J = 25 ° C 电流消耗量 I q = I I – I Q I q ––50 µ 一个调整器-止电流消耗量 I q = I I – I Q I q –1.010 µ 一个 T J = 25 ° C ic 转变止电流消耗量 I q = I I – I Q I q –1.34ma I Q = 5 毫安 ic 转变在电流消耗量 I q = I I – I Q I q ––60mA I Q = 400 毫安电流消耗量 I q = I I – I Q I q ––80mA I Q = 400 毫安 V I = 5 v 漏出电压 V Dr –0.30.6v I Q = 400 毫安 1) 加载规章制度 ∆ V Q ––50mv5 毫安 ≤ I Q ≤ 400 毫安供应-电压规章制度 ∆ V Q – 1525mV V I = 6 至 36 v; I Q = 5 毫安供应-电压拒绝 SVR –54–dB f r = 100 hz; V r = 0.5 V pp longterm 稳固 ∆ V Q –0–mv1000 h 1) 漏出电压 = V I – V Q (量过的当这输出电压 V Q 有 dropped 100 mv 从这名义上的值得到在 V I = 13.5 v)

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