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tle 4726
半导体 组 12 1998-02-01
图示 3 测试 电路
图示 4 应用 电路
AES02301
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5, 6,
15, 16
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阶段 1
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Inhibit
V
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220 nf 100
µ
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V
V
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3
17
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19
18
12 3
7
10
14
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4138
GNDOSC
5, 6,
15, 16
R
1
1
Ω
R
2
Ω
1
2.2 nf
微观的
控制
Ι
11
20
21
阶段 1
阶段 2
Inhibit
V
L
V
S
Q11
Q12
Q21
Q22
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M
220 nf 100
µ
F
+40 v+5 v
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µ
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Ι
Ι

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tle 4726 半导体组 12 1998-02-01 图示 3 测试电路图示 4 应用电路 AES02301 1 2 3 17 20 19 18 12 9 7 10 14 11 413 8 GNDOSC 5, 6, 15, 16 R 1 1 Ω R 2 Ω 1 2.2 nf 阶段 1 阶段 2 Inhibit V L V S Q11 Q12 Q21 Q22 tle 4726 220 nf 100 µ f220 nf100 µ F Ι L Ι S Ι 地 Ι OSC V OSC Ι Q Ι Fu Ι R Ι Ru Satl - - V Satu V Fu V S - V Ι V Ι Ι Ι Ι Ι L H L H Ι 10 11 Ι Ι Ι 21 20 V Fl - Sense V V V Sense AES02302 1 2 3 17 20 19 18 12 3 7 10 14 11 4138 GNDOSC 5, 6, 15, 16 R 1 1 Ω R 2 Ω 1 2.2 nf 微观的控制 Ι 11 20 21 阶段 1 阶段 2 Inhibit V L V S Q11 Q12 Q21 Q22 tle 4726 M 220 nf 100 µ F +40 v+5 v 220 nf100 µ F 10 Ι Ι Ι

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