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tle 4726
半导体 组 8 1998-02-01
备用物品 cutout (inhibit)
门槛
门槛
Hysteresis
V
Inh
(l
→
h)
V
Inh
(h
→
l)
V
Inhhy
2
1.7
0.3
3
2.3
0.7
4
2.9
1.1
V
V
V
–
–
–
内部的 z-二极管
z-电压
V
LZ
6.5 7.4 8.2 V
I
L
= 50 毫安
电源 输出
二极管 晶体管 下沉 一双
(d13, t13; d14, t14; d23, t23; d24, t24)
饱和 电压
饱和 电压
反转 电流
向前 电压
向前 电压
V
satl
V
satl
I
Rl
V
Fl
V
Fl
–
–
–
–
–
0.3
0.5
–
0.9
1
0.6
1
300
1.3
1.4
V
V
µ
一个
V
V
I
Q
= – 0.5 一个
I
Q
= – 0.75 一个
V
Q
= 40 v
I
Q
= 0.5 一个
I
Q
= 0.75 一个
二极管 晶体管 源 一双
(d11, t11; d12, t12; d21, t21; d22, t22)
饱和 电压
饱和 电压
饱和 电压
饱和 电压
反转 电流
向前 电压
向前 电压
二极管 泄漏 电流
V
satuC
V
satuD
V
satuC
V
satuD
I
Ru
V
Fu
V
Fu
I
SL
–
–
–
–
–
–
–
–
0.9
0.3
1.1
0.5
–
1
1.1
1
1.2
0.7
1.4
1
300
1.3
1.4
2
V
V
V
V
µ
一个
V
V
毫安
I
Q
= 0.5 一个;
承担
I
Q
= 0.5 一个;
释放
I
Q
= 0.75 一个;
承担
I
Q
= 0.75 一个;
释放
V
Q
= 0 v
I
Q
= – 0.5 一个
I
Q
= – 0.75 一个
I
F
= – 0.75 一个
特性
(内容’d)
V
S
= 40 v;
V
L
= 5 v; – 25
°
C
≤
T
j
≤
125
°
C
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值

标　题:
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tle 4726 半导体组 8 1998-02-01 备用物品 cutout (inhibit) 门槛门槛 Hysteresis V Inh (l → h) V Inh (h → l) V Inhhy 2 1.7 0.3 3 2.3 0.7 4 2.9 1.1 V V V – – – 内部的 z-二极管 z-电压 V LZ 6.5 7.4 8.2 V I L = 50 毫安电源输出二极管晶体管下沉一双 (d13, t13; d14, t14; d23, t23; d24, t24) 饱和电压饱和电压反转电流向前电压向前电压 V satl V satl I Rl V Fl V Fl – – – – – 0.3 0.5 – 0.9 1 0.6 1 300 1.3 1.4 V V µ 一个 V V I Q = – 0.5 一个 I Q = – 0.75 一个 V Q = 40 v I Q = 0.5 一个 I Q = 0.75 一个二极管晶体管源一双 (d11, t11; d12, t12; d21, t21; d22, t22) 饱和电压饱和电压饱和电压饱和电压反转电流向前电压向前电压二极管泄漏电流 V satuC V satuD V satuC V satuD I Ru V Fu V Fu I SL – – – – – – – – 0.9 0.3 1.1 0.5 – 1 1.1 1 1.2 0.7 1.4 1 300 1.3 1.4 2 V V V V µ 一个 V V 毫安 I Q = 0.5 一个; 承担 I Q = 0.5 一个; 释放 I Q = 0.75 一个; 承担 I Q = 0.75 一个; 释放 V Q = 0 v I Q = – 0.5 一个 I Q = – 0.75 一个 I F = – 0.75 一个特性 (内容’d) V S = 40 v; V L = 5 v; – 25 ° C ≤ T j ≤ 125 ° C 参数标识限制值单位测试情况最小值典型值最大值

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