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tle 4728 g
半导体 组 5 1998-02-01
为 详细信息 看 next 四 页.
这些 参数 是 不 100% 测试 在 生产, 但是 有保证的 用 设计.
绝对 最大 比率
T
j
= – 40 至 150
°
C
参数 标识 限制 值 单位 Remarks
最小值 最大值
供应 电压
V
S
– 0.3 45 V –
错误 输出
V
Err
I
Err
– 0.3
–
45
3
V
毫安
–
–
输出 电流
I
Q
– 1 1 一个 –
地面 电流
I
地
– 2 – 一个 –
逻辑 输入
V
IXX
– 15 15 V
I
xx; 阶段 1, 2
振荡器 电压
V
OSC
– 0.3 6 V –
R
1
, r
2
输入 电压
V
RX
– 0.3 5 V –
接合面 温度
T
j
–150
125
°
C
°
C
最大值 1.000 h
存储 温度
T
stg
– 50 125
°
C–
热的 抵制
接合面-包围的
接合面-包围的
(焊接 在 一个 35
µ
m 厚
20 cm
2
pc 板 铜
范围)
接合面-情况
R
th ja
R
th ja
R
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–
–
–
75
50
15
k/w
k/w
k/w
–
–
量过的 在 管脚 5
运行 范围
供应 电压
V
S
516V–
情况 温度
T
C
– 40 110
°
C 量过的 在 管脚 5
P
diss
= 2 w
输出 电流
I
Q
– 800 800 毫安 –
逻辑 输入
V
IXX
– 5 6 V
I
xx; 阶段 1, 2
错误 输出
V
Err
I
Err
–
0
25
1
V
毫安
–
–

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tle 4728 g 半导体组 5 1998-02-01 为详细信息看 next 四页. 这些参数是不 100% 测试在生产, 但是有保证的用设计. 绝对最大比率 T j = – 40 至 150 ° C 参数标识限制值单位 Remarks 最小值最大值供应电压 V S – 0.3 45 V – 错误输出 V Err I Err – 0.3 – 45 3 V 毫安 – – 输出电流 I Q – 1 1 一个 – 地面电流 I 地 – 2 – 一个 – 逻辑输入 V IXX – 15 15 V I xx; 阶段 1, 2 振荡器电压 V OSC – 0.3 6 V – R 1 , r 2 输入电压 V RX – 0.3 5 V – 接合面温度 T j –150 125 ° C ° C 最大值 1.000 h 存储温度 T stg – 50 125 ° C– 热的抵制接合面-包围的接合面-包围的 (焊接在一个 35 µ m 厚 20 cm 2 pc 板铜范围) 接合面-情况 R th ja R th ja R th jc – – – 75 50 15 k/w k/w k/w – – 量过的在管脚 5 运行范围供应电压 V S 516V– 情况温度 T C – 40 110 ° C 量过的在管脚 5 P diss = 2 w 输出电流 I Q – 800 800 毫安 – 逻辑输入 V IXX – 5 6 V I xx; 阶段 1, 2 错误输出 V Err I Err – 0 25 1 V 毫安 – –

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