tle 4728 g
半导体 组 7 1998-02-01
电源 输出
二极管 晶体管 下沉 一双
(d13, t13; d14, t14; d23, t23; d24, t24)
饱和 电压
饱和 电压
反转 电流
向前 电压
向前 电压
V
satI
V
satI
I
RI
V
FI
V
FI
0.1
0.2
500
0.6
0.7
0.3
0.5
1000
0.9
1
0.5
0.8
1500
1.2
1.3
V
V
µ
一个
V
V
I
Q
= – 0.45 一个
I
Q
= – 0.7 一个
V
S
=
V
Q
= 40 v
I
Q
= 0.45 一个
I
Q
= 0.7 一个
二极管 晶体管 源 一双
(t11, d11; t12, d12; t21, d21; t22, d22)
饱和 电压
饱和 电压
饱和 电压
饱和 电压
反转 电流
向前 电压
向前 电压
二极管 泄漏 电流
V
satuC
V
satuD
V
satuC
V
satuD
I
Ru
V
Fu
V
Fu
I
SL
0.6
0.1
0.7
0.2
400
0.7
0.8
0
1
0.3
1.2
0.5
800
1
1.1
3
1.2
0.6
1.5
0.8
1200
1.3
1.4
10
V
V
V
V
µ
一个
V
V
毫安
I
Q
= 0.45 一个;
承担
I
Q
= 0.45 一个;
释放
I
Q
= 0.7 一个; 承担
I
Q
= 0.7 一个;
释放
V
S
= 40 v,
V
Q
= 0 v
I
Q
= – 0.45 一个
I
Q
= – 0.7 一个
I
F
= – 0.7 一个
错误 输出 定时
时间 阶段 x 至
I
XX
时间
I
xx 至 阶段 x
延迟 阶段 x 至 错误 2
延迟 阶段 x 至 错误 1
延迟
I
xx 至 错误 2
重置 延迟 之后 阶段 x
重置 延迟 之后
I
XX
t
PI
t
IP
t
PEsc
t
PEol
t
IEsc
t
RP
t
RI
–
–
–
–
–
–
–
5
12
45
15
30
3
1
15
–
80
30
60
10
5
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
–
–
–
–
–
–
–
特性
(内容’d)
V
S
= 6 至 16 v;
T
j
= – 40 至 130
°
C
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值
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