VP2410L
Siliconix
s-52426—rev. c, 14-apr-97
3
典型 特性 (25
c 除非 否则 指出)
ohmic 区域 特性 输出 特性 为 低 门 驱动
在-阻抗 vs. 流 电流
normalized 在-阻抗
vs. 接合面 温度
转移 特性 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
–1
–500
0
–500
–400
0
16
14
6
2.25
2.00
0.50
0
12
14
0
–80
–100
0 –5 0 –2.0
–10 –5 0 –4 –20
–1000 –500 –50 –10 150
V
GS
– 门-源 电压 (v) V
GS
– 门-源 电压 (v)
– 流 电流 (毫安)
I
D
– 流 电流 (毫安)
I
D
– 流 电流 (毫安)
I
D
– 在-阻抗 (r
ds(在)
V
DS
– 流-至-源 电压 (v) V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
I
D
– 流 电流 (一个)
V
GS
= –4 v
–3 v
–5 v
–4.5 v
–4 v
V
GS
= –10 v
–3.0 v
–3.6 v
–3.4 v
–3.2 v
T
J
= 25
C T
J
= 25
C
T
J
– 接合面 温度 (
c)
V
GS
= –10 v
I
D
= –0.2 一个
r
ds(在)
– 流-源 在-阻抗
(normalized)
–2.8 v
–2.6 v
12
10
8
–200 –300 –400
V
GS
= –4.5 v
T
J
= 25
C
T
J
= –55
C
125
C
25
C
–300
–200
–100
–2 –3 –4
T
J
= 25
C
I
D
= –0.20 一个
I
D
= –0.1 一个
8
10
4
6
2
–8 –12 –16
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
20 70 110
V
GS
= –4.5 v
I
D
= –0.1 一个
–400
–300
–200
–100
–2 –3 –4 –0.4 –0.8 –1.2 –1.6
–60
–40
–20
V
DS
= 15 v
r
ds(在)
– 流-源 在-阻抗 (
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