VP2410L
Siliconix
s-52426—rev. c, 14-apr-97
1
p-频道 增强-模式 场效应晶体管 晶体管
产品 summary
V
(br)dss
最小值 (v) r
ds(在)
最大值 (
) V
gs(th)
(v) I
D
(一个)
–240 10 @ v
GS
= –4.5 v –0.8 至 –2.5 –0.18
特性 益处 产品
高-一侧 切换
secondary 损坏 自由: –255 v
低 在-阻抗: 8
低-电源/电压 驱动
极好的 热的 稳固
使容易 在 驱动 switches
全部-电压 运作
低 补偿 电压
容易地 驱动 没有 缓存区
非 高-温度 “run-away”
驱动器: 接转, solenoids, lamps,
hammers, 显示, memories,
晶体管, 等
电源 供应, 转换器
发动机 控制
Switches
1
至-226aa
(至-92)
顶 视图
S
D
G
2
3
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流 (t
J
= 150
c)
T
一个
= 25
C
I
D
–0.18
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
T
一个
= 100
C
I
D
–0.11 一个
搏动 流 电流
一个
I
DM
–0.72
电源 消耗
T
一个
= 25
C
P
D
0.8
wpower 消耗
T
一个
= 100
C
P
D
0.32
W
最大 接合面-至-包围的 R
thJA
156
c/w
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
注释
一个. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
updates 至 这个 数据 薄板 将 是 得到 通过 facsimile 用 calling siliconix faxback, 1-408-970-5600. 请 要求 faxback 文档 #70211.
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