2n/pn/sst4117a 序列
2 Siliconix
s-52424—rev. e, 14-apr-97
绝对 最大 比率
门-源/门-流 电压 –40V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
向前 门 电流 50 毫安. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
存储 温度 : (2n prefix) –65 至 175
C. . . . . . . . . . . . . .
(pn, sst prefix) –55 至 150
C. . . . . . . . .
运行 接合面 温度 :
(2n prefix) –55 至 175
C. . . . . . . . . . . . . .
(pn, sst prefix) –55 至 150
C. . . . . . . . .
含铅的 温度 (
1
/
16
” 从 情况 为 10 秒.) 300
C. . . . . . . . . . . . . . .
电源 消耗 (情况 25
c) :
(2n prefix)
一个
300 mw. . . . . . . . . . . . . . . . .
(pn, sst prefix)
b
350 mw. . . . . . . . . . . .
注释
一个. 减额 2 mw/
c 在之上 25
C
b. 减额 2.8 mw/
c 在之上 25
C
规格
一个
限制
4117 4118 4119
参数 标识 测试 情况 Typ
b
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
静态的
门-源
损坏 电压
V
(br)gss
I
G
= –1
一个 , v
DS
= 0 v –70
–40 –40 –40
V
门-源 截止 电压 V
gs(止)
V
DS
= 10 v, i
D
= 1 na
–0.6 –1.8
–1 –3
–2 –6
饱和 流 电流 I
DSS
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v
30
90
80
240
200
600
一个
V
GS
= –20 v
V
DS
= 0 v
–0.2 –1 –1 –1 pA
Gt R C t I
V
GS
= –20 v
V
DS
= 0 v
T
一个
= 150
C
2N
–0.4 –2.5 –2.5 –2.5 nA
门 反转 电流 I
GSS
V
GS
= –10 v
PN –0.2 –1 –1 –1
pA
GS
V
DS
= 0 v
SST –0.2 –10 –10 –10
pA
V
GS
= –10 v
V
DS
= 0 v
T
一个
= 100
C
pn/sst –0.03 –2.5 –2.5 –2.5 nA
门 运行 电流
c
I
G
V
DG
= 15 v, i
D
= 30
一个 –0.2
pA
流 截止 电流
c
I
d(止)
V
DS
= 10 v, v
GS
= –8 v 0.2
pA
门-源 向前 电压
c
V
gs(f)
I
G
= 1 毫安 , v
DS
= 0 v 0.7 V
动态
一般-源
向前 跨导
g
fs
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v
70
210
80
250
100
330
S
一般-源
输出 conductance
g
os
S GS
f = 1 khz
3 5 10
S
一般-源
C
i
2n/pn 1.2
输入 电容
C
iss
V
DS
= 10 v
V
GS
=0V
SST 1.2
pF
一般-源
C
V
GS
= 0 v
f = 1 mhz
2n/pn 0.3 1.5 1.5 1.5
pF
反转 转移 电容
C
rss
SST 0.3
相等的 输入 噪音 电压
c
e
n
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v
f = 1 khz
15
nV
⁄
√
Hz
注释
一个. T
一个
= 25
c 除非 否则 指出. NT
b. 典型 值 是 为 设计 aid 仅有的, 不 有保证的 也不 主题 至 生产 测试.
c. 这个 参数 不 注册 和 电子元件工业联合会.
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