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资料编号:1063856
 
资料名称:SST4117
 
文件大小: 63804K
   
说明
 
介绍:
N-Channel JFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2n/pn/sst4117a 序列
Siliconix
s-52424—rev. e, 14-apr-97
3
典型 特性
门 泄漏 电流
流 电流 和 跨导
vs. 门-源 截止 电压
一般-源 向前 跨导
vs. 流 电流
在-阻抗 和 输出 conductance
vs. 门-源 截止 电压
0
06 30
g
fs
I
DSS
T
一个
= 125
C
T
一个
= 25
C
100
一个
I
GSS
@ 25
C
100
一个
0
–0.5 v
–1.0 v
–2.0 v
–1.5 v
V
GS
= 0 v
15
0–3–5–4–2–1
12
9
6
3
0
0.01 0.1 1
200
160
120
40
0
5
4
3
2
1
0
r
DS
@ i
D
= 10
一个, v
GS
= 0 v
g
os
@ v
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v
f = 1 khz
r
DS
g
os
T
一个
= –55_c
125
C
V
DS
= 10 v
f = 1 khz
100
0168420
80
60
20
0
V
GS
= 0 v
–0.5 v
–0.4 v
–0.3 v
–0.2 v
–0.1 v
– 门 泄漏
I
G
V
gs(止)
– 门-源 截止 电压 (v)
V
DS
– 流-源 电压 (v)
V
DG
– 流-门 电压 (v)
I
D
– 流 电流 (毫安)V
gs(止)
– 门-源 截止 电压 (v)
V
DS
– 流-源 电压 (v)
600
400
200
12 18 24
80
25
C
V
gs(止)
= –0.7 v V
gs(止)
= –2.5 v
20040
12 0 16842012
I
DSS
@ v
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v
g
fs
@ v
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v
f = 1 khz
300
240
180
120
60
0
10
一个
0.1 pa
1 pa
10 pa
100 pa
1 na
I
GSS
@ 125
C
V
gs(止)
= 2.5 v
10
一个
– 饱和 流 电流 (
I
DSS
一个)
r
ds(在)
– 流-源 在-阻抗 (k )
– 流 电流 (
I
D
一个)
– 流 电流 (
I
D
一个)
s)g
fs
– 向前 跨导 (
s)g

– 输出 conductance (
s)g
fs
– 向前 跨导 (
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