2n5545/46/47/jantx/jantxv
2 Siliconix
p-37514—rev. b, 25-jul-94
规格
一个
限制
2N5545 2N5546 2N5547
参数 标识 测试 情况 Typ
b
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
静态的
门-源
损坏 电压
V
(br)gss
I
G
= –1
一个, v
DS
= 0 v –57
–50 –50 –50
V
门-源
截止 电压
V
gs(止)
V
DS
= 15 v, i
D
= 0.5 na –2 –0.5 –4.5 –0.5 –4.5 –0.5 –4.5
V
饱和 流 电流
c
I
DSS
V
DS
= 15 v, v
GS
= 0 v 3 0.5 8 0.5 8 0.5 8 毫安
门 反转 电流 I
GSS
V
GS
= –30 v, v
DS
= 0 v –10 –100 –100 –100 pA
门 反转 电流 I
GSS
T
一个
= 150
C –20 –150 –150 –150 nA
门 运行 电流 I
G
V
DG
= 15 v, i
D
= 200
一个 –3
–50 –50 –50
pA
门-源
向前 电压
V
gs(f)
I
G
= 1 毫安 , v
DS
= 0 v 0.7 V
动态
一般-源 向前
跨导
c
g
fs
V
DS
= 15 v, v
GS
= 0 v
2.5
1.5 6.0 1.5 6.0 1.5 6.0
mS
一般-源
输出 conductance
c
g
os
S GS
f = 1 khz
2
25 25 25
S
一般-源
输入 电容
C
iss
V
DS
= 15 v, v
GS
= 0 v
3.5 6 6 6
pF
一般-源 反转
转移 电容
C
rss
S GS
f = 1 mhz
1.3 2 2 2
pF
相等的 输入
噪音 电压
e
n
V
DS
= 15 v, i
D
= 200
一个
f = 10 hz
20 180 200
nV
⁄
√
Hz
噪音 图示 NF R
G
= 1 m
0.1 3.5 5 dB
相一致
差别的
V
DG
= 15 v, i
D
= 50
一个
5 10 15
mV
门-源 电压
V
DG
= 15 v, i
D
= 200
一个
5 10 15
mV
门-源 电压
差别的 改变
和 温度
|
V
GS1
–V
GS2
|
T
V
DG
= 15 v, i
D
= 200
一个
T
一个
= –55 至 125
C
10 20 40
v/
C
饱和 流
电流 比率
d
V
DS
= 15 v, v
GS
= 0 v 0.98 0.95 1 0.9 1 0.9 1
跨导 比率
d
V
DS
= 15 v, i
D
= 200
一个
f = 1 khz
0.99 0.97 1 0.95 1 0.9 1
差别的 输出
Conductance
V
DG
= 15 v, v
GS
= 0 v
f = 1 khz
0.1 1 2 3
S
差别的 门 电流
V
DG
= 15 v, i
D
= 200
一个
T
一个
= 125
C
1 5 5 5 nA
注释
一个. T
一个
= 25
c 除非 否则 指出. NQP
b. 典型 值 是 为 设计 aid 仅有的, 不 有保证的 也不 主题 至 生产 测试.
c. 脉冲波 测试: pw
300
s 职责 循环
3%.
d. 假设 小 值 在 这 numerator.
: 点此下载
