2n5545/46/47/jantx/jantxv
4 Siliconix
p-37514—rev. b, 25-jul-94
典型 特性 (内容’d)
0.01 0.1 1
10
1
0 –1.5–1.0–0.5 –2.0 –2.5
4
3
2
1
0
0.01 0.1 1
130
120
80
110
100
90
0.01 0.1 1
100
10
1
100
5
0.1 10.01
100
80
60
40
20
0
转移 特性
门-源 差别的 电压
vs. 流 电流
电压 差别的 和 温度
vs. 流 电流
一般 模式 拒绝 比率
vs. 流 电流
(mv)
V
GS1
V
GS2
–
cmrr (db)
一个
V
– 电压 增益
V
GS
– 门-源 电压 (v) I
D
– 流 电流 (毫安)
I
D
– 流 电流 (毫安) I
D
– 流 电流 (毫安)
I
D
– 流 电流 (毫安)
2N5545
T
一个
= –55
C
125
C
V
gs(止)
= –2 v
V
DG
= 15 v
T
一个
= 25
C
5 – 10 v
V
gs(止)
= –3 v
– 流 电流 (毫安)
I
D
电路 电压 增益 vs. 流 电流
2N5547
2N5545
2N5547
在-阻抗 vs. 流 电流
I
D
– 流 电流 (毫安)
0.01 0.1 1
1 k
800
600
400
200
0
V
gs(止)
= –2 v
一个
V
g
fs
R
L
1
R
L
g
os
R
L
10 V
I
D
假设 v
DD
= 15 v, v
DS
= 5 v
V
DS
= 10 v
V
gs(止)
= –2 v
V
gs(止)
= –3 v
25
C
v/
C
()
t
V
GS1
V
GS2
–
r
ds(在)
– 流-源 在-阻抗 ( )
V
DG
= 15 v
T
一个
= 25 至 125
C
T
一个
= –55 至 25
C
V
GS1
V
GS2
–
V
DG
cmrr = 20 log
V
DG
= 10 – 20 v
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