MBR730–MBR760
vishay lite–on 电源 半导体
rev. a2,24-六月-982 (4)
特性
(t
j
= 25
_
c 除非 否则 指定)
0
50 100 150
0
2
4
6
8
10
15313
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
i – 平均 向前 电流 ( 一个 )
FAV
图示 1. 最大值 平均 向前 电流 vs.
包围的 温度
0.1
1.0
10
50
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
15314
i – 向前 电流 ( 一个 )
F
V
F
– 向前 电压 ( v )
脉冲波 宽度 = 300
µ
s
T
j
= 25
°
C
2% 职责 循环
mbr730 – mbr745
mbr750 – mbr760
图示 2. 典型值 向前 电流 vs. 向前 电压
1
10
100
25
50
75
100
125
150
175
8.3 ms 单独的 half–sine–wave
电子元件工业联合会 方法
i – 顶峰 向前 surge 电流 ( 一个 )
FSM
号码 的 循环 在 60 hz
15315
图示 3. 最大值 顶峰 向前 surge 电流 vs.
号码 的 循环
100
1000
4000
1.0 10
100
0.1
c – 二极管 电容 ( pf )
D
V
R
– 反转 电压 ( v )
15316
图示 4. 典型值 二极管 电容 vs. 反转 电压
0.001
0.01
0.1
1.0
020
40 60 80 100 120 140
10
T
j
= 75
°
C
T
j
= 25
°
C
T
j
= 100
°
C
百分比 的 评估 顶峰 反转 电压 (%)
i – 反转 电流 ( 毫安 )
R
15317
resistive 或者
inductive 加载
图示 5. 典型值 反转 电流 vs. 百分比 的
评估 顶峰 反转 电压
: 点此下载
