MBR730–MBR760
vishay lite–on 电源 半导体
rev. a2,24-六月-98 1 (4)
7.5a 肖特基 屏障 整流器
特性
D
肖特基 屏障 碎片
D
守卫 环绕 消逝 构建 为 瞬时
保护
D
低 电源 丧失, 高 效率
D
高 surge 能力
D
高 电流 能力 和 低 向前 电压
漏出
D
为 使用 在 低 电压, 高 频率 反相器,
自由 转动, 和 极性 保护
应用
D
塑料 材料 有 ul flammability
分类 94v–0
94 9537
绝对 最大 比率
T
j
= 25
_
C
参数 测试
情况
类型 标识 值 单位
repetitive 顶峰 反转 电压 MBR730 V
RRM
30 Vg
=working 顶峰 反转 电压
直流 Bl ki lt
MBR735
RRM
=V
RWM
V
35 V
=直流 blocking 电压
MBR740
=V
R
40 V
MBR745 45 V
MBR750 50 V
MBR760 60 V
顶峰 向前 surge 电流 I
FSM
150 一个
平均 向前 电流 T
C
=125
°
C I
FAV
7.5 一个
接合面 和 存储 温度 范围 T
j
=T
stg
–65...+150
°
C
电的 特性
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 最小值 Typ 最大值 单位
向前 电压 I
F
=7.5a, t
C
25
°
C MBR730 V
F
0.55 Vg
I
F
=7.5a, t
C
125
°
C
–MBR745
V
F
0.70 V
I
F
=7.5a, t
C
25
°
C MBR750 V
F
0.70 V
I
F
=7.5a, t
C
125
°
C
–MBR760
V
F
0.75 V
反转 电流 T
C
=25
°
C MBR730 I
R
1.0 毫安
T
C
=125
°
C
–MBR745
I
R
15 毫安
T
C
=25
°
C MBR750 I
R
1.0 毫安
T
C
=125
°
C
–MBR760
I
R
50 毫安
二极管 电容 V
R
=4v, f=1mhz C
D
400 pF
热的 阻抗
接合面 至 包围的
T
L
=常数. R
thJA
3.5 k/w
电压 比率 的 改变
( 评估 v
R
)
dv/dt 1000 v/
m
s
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