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资料编号:1067863
 
资料名称:FSGJ264R
 
文件大小: 81228K
   
说明
 
介绍:
Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFET
 
 


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8
所有 intersil 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面
ISO9000
质量 系统 certification.
Intersil 半导体 产品 出售 描述 仅有的. Intersil 公司 reserves 正确的 制造 改变 电路 设计 和/或者 规格 任何 时间 和-
输出 注意. accordingly, reader cautioned 核实 数据 薄板 电流 在之前 放置 顺序. 信息 陈设 Intersil 相信 精确
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从 它的 使用. 非 执照 是 准予 用 牵涉 或者 否则 下面 任何 专利权 或者 专利权 权利 的 intersil 或者 它的 附属机构.
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ASIA
intersil 有限公司.
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taipei, 台湾 104
republic 的 中国
电话: 886-2-2515-8508
传真: 886-2-2515-8369
FSGJ264R
至-254aa
3 含铅的 电子元件工业联合会 至-254aa 密封的 metal 包装
D
L
Q
H
1
e
e
1
J
1
一个
1
一个
E
ØP
Ø
b
0.065 r 最大值
典型值
12 3
标识
英寸 毫米
NOTESMIN 最大值 最小值 最大值
一个 0.249 0.260 6.33 6.60 -
一个
1
0.040 0.050 1.02 1.27 -
Øb 0.035 0.045 0.89 1.14 2, 3
D 0.790 0.800 20.07 20.32 -
E 0.535 0.545 13.59 13.84 -
e 0.150 典型值 3.81 典型值 4
e
1
0.300 bsc 7.62 bsc 4
H
1
0.245 0.265 6.23 6.73 -
J
1
0.140 0.160 3.56 4.06 4
L 0.520 0.560 13.21 14.22 -
ØP 0.139 0.149 3.54 3.78 -
Q 0.110 0.130 2.80 3.30 -
注释:
1. 这些 维度 在里面 容许的 维度 rev. 一个
电子元件工业联合会 外形 至-254aa dated 11-86.
2. 增加 典型地 0.002 英寸 (0.05mm) 为 焊盘 coating.
3. 含铅的 维度 (没有 焊盘).
4. 位置 含铅的 量过的 0.250 英寸 (6.35mm) bottom
的 维度 d.
5. 消逝 至 根基 beo 分开的, terminals 至 情况 陶瓷的 分开的.
6. controlling 维度: inch.
7. 修订 1 dated 1-93.
WARNING!
beryllia 警告 每 mil-prf-19500
包装 containing beryllium oxide (beo) 将要 地面, machined, sandblasted, 或者 主题 任何 机械的 运作
这个 将 生产 dust containing 任何 beryllium 复合. 包装 containing 任何 beryllium 复合 将要 不 是
subjected 至 任何 化学的 处理 (etching, 等.) 这个 将 生产 fumes containing beryllium 或者 它的’ 复合.
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