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TM
文件 号码
4888
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 ic 处理 程序.
star*power™ 是 一个 商标 的 intersil 公司.
1-888-intersil 或者 321-724-7143
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intersil 和 设计 是 一个 商标 的 intersil 公司.
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版权
©
intersil 公司 2000
FSGJ264R
辐射 硬化, segr resistant
n-频道 电源 场效应晶体管
intersil star*power rad hard
mosfets 有 被 specifically
开发 为 高 效能
产品 在 一个 商业的 或者
军队 空间 环境.
star*power mosfets 提供 这 系统 设计者 两个都
极其 低 r
ds(在)
和 门 承担 准许 这
开发 的 低 丧失 电源 subsystems. star*power
金 fets 联合的 这个 电的 能力 和 总的 剂量
辐射 硬度 向上 至 100k rads 当 维持 这
有保证的 效能 为 单独的 事件 影响 (看)
这个 这 intersil fs families 有 总是 featured.
这 intersil 家族 的 star*power fets 包含 一个 序列 的
设备 在 各种各样的 电压, 电流 和 包装 样式. 这
portfolio 组成 的 star*power 和 star*power 金
产品. star*power fets 是 优化 为 总的 剂量 和
r
ds(在)
当 exhibiting 看 能力 在 全部 评估 电压
向上 至 一个 let 的 37. star*power 金 fets 有 被
优化 为 看 和 门 承担 结合 看
效能 至 80% 的 这 评估 电压 为 一个 let 的 82
和 极其 低 门 承担 特性.
这个 场效应晶体管 是 一个 增强-模式 硅-门 电源
field 效应 晶体管 的 这 vertical dmos (vdmos)
结构. 它 是 specifically 设计 和 processed 至 是
辐射 tolerant. 这 场效应晶体管 是 好 suited 为
产品 exposed 至 辐射 环境 此类 作
切换 规章制度, 切换 转换器, 电源
分发, 发动机 驱动 和 接转 驱动器 作 好 作 其它
电源 控制 和 conditioning 产品. 作 和
常规的 mosfets 这些 辐射 硬化
mosfets 提供 使容易 的 电压 控制, 快 切换
speeds 和 能力 至 并行的 切换 设备.
可靠性 放映 是 有 作 也 txv 或者 空间
相等的 的 mil-prf-19500.
formerly 有 作 类型 ta45233w.
特性
• 42a, 250v, r
ds(在)
= 0.049
Ω
• uis 评估
• 总的 剂量
- 满足 前-rad specifications 至 100k rad (si)
• 单独的 事件
- safe 运行 范围 曲线 为 单独的 事件 影响
- 看 免除 为 let 的 82mev/mg/cm
2
和
V
DS
向上 至 80% 的 评估 损坏 和
V
GS
的 5v 止-偏差
• 剂量 比率
- 典型地 survives 3e9 rad (si)/s 在 80% bv
DSS
- 典型地 survives 2e12 如果 电流 限制 至 i
作
• photo 电流
- 21na 每-rad (si)/s 典型地
• Neutron
- 维持 前-rad specifications
为 1e13 neutrons/cm
2
- usable 至 1e14 neutrons/cm
2
标识
包装
至-254aa
订货 信息
rad 水平的 放映 水平的 部分 号码/brand
10K engineering 样本 FSGJ264D1
100K TXV FSGJ264R3
100K 空间 FSGJ264R4
TM
D
G
S
提醒: beryllia 警告 每 mil-prf-19500
谈及 至 包装 specifications.
D
S
G
数据 薄板 july 2000
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