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ucc3957 -1/-2/-3/-4
应用 信息
Overview
这 UCC3957 提供 完全 保护 相反
在-释放, 在-承担 和 overcurrent 为 一个 三
或者 四 cell lithium-ion 电池 包装. 它 使用 一个 “flying ca-
pacitor” 技巧 至 样本 这 电压 横过 各自
电池 cell 和 对比 它 至 一个 精确 涉及. 如果
任何 cell 是 在 在 或者 下面-电压, 这 内部的 状态 毫安-
chine takes 这 适合的 action 至 阻止 更远
承担 或者 释放. 高-一侧 p-mosfets 是 使用 至
independently 控制 承担 和 释放 电流. 典型值-
ical 应用 电路 是 显示 在 计算数量 1 和 2.
连接 这 cell 堆栈
当 连接 这 cell 堆栈 至 这 电路, 它 是 impor-
tant 至 做 它 在 这 恰当的 顺序. 第一, 这 bottom 的 这
堆栈 应当 是 连接 至 AN4 . next, 这 顶 的 这
堆栈 应当 是 连接 至 vdd. 这 cell taps 能
然后 是 连接 至 an1-an3 在 任何 顺序.
choosing 三 或者 四 cells
为 三 cell packs, 这 cell 计数 管脚 (clcnt) 应当
是 连接 至 这 DSPLY 管脚, 和 这 AN3 管脚 应当
是 系 至 这 AN4 管脚. 为 四 cell 产品, 这
CLCNT 管脚 应当 是 grounded (至 an4) 和 这 AN3
管脚 将 是 连接 至 这 积极的 终端 的 这 bot-
tom cell 在 这 堆栈.
下面-电压 保护
当 任何 cell 是 建立 至 是 在-释放 (在下 这
正常的 至 Undercharge 门槛), 这 状态 机器
转变 止 两个都 高-一侧 FETs 和 enters 这 睡眠 模式,
在哪里 电流 消耗量 drops 至 关于 3.5ua. 它 re-
mains 在 睡眠 模式 直到 这 应用 的 一个 charger 是
sensed 用 这 Wake 向上 (wu) 管脚 正在 raised 在之上
vdd.
Charging
Once 一个 charger 有 被 应用, 这 承担 场效应晶体管 将
是 转变 在 作 长 作 这 承担 使能 输入
(chgen) 是 牵引的 向上 至 这 DSPLY 管脚. 如果 这 CHGEN
输入 是 left 打开 (或者 连接 至 an4), 这 承担 场效应晶体管
将 仍然是 止.
在 承担, 这 释放 场效应晶体管 将 是 止 (电流 将
是 安排 通过 它的 身体 二极管) 直到 这 cell volt-
ages 是 所有 在之上 这 Undercharge 至 正常的 门槛.
Once 这 cell 电压 是 在之上 这个 门槛, 这 dis-
承担 场效应晶体管 将 是 转变 在, 降低 电源 dissipa-
tion.
打开 线 保护
这 UCC3957 提供 保护 相反 broken cell
sense 连接 在里面 这 包装. 如果 这 sense connec-
tion 至 一个 的 这 cells (管脚 an1, 2 或者 3) 应当 变为
disconnected, 弱 内部的 电流 来源 将 制造
这 cells 连接 至 那 线 呈现 至 是 在 在-
承担 和 charging 的 这 包装 将 是 阻止.
在-电压 保护 和 这 “Smart Discharge”
特性
如果 任何 cell 是 charged 至 一个 电压 exceeding 这 正常的
至 Overcharge 门槛, 这 承担 场效应晶体管 将 是 转变
止, 阻止 更远 承担 电流. Hysteresis keeps
这 承担 场效应晶体管 止 直到 这 cell 电压 有 dropped
在下 这 Overcharge 至 正常的 门槛. 在 大多数 pro-
tector 设计, 这 承担 场效应晶体管 是 使保持 止 完全地
在里面 这个 电压 带宽. 在 这个 时间, 释放 cur-
rent 必须 是 安排 通过 这 身体 二极管 的 这
承担 场效应晶体管. 这个 向前 电压 漏出 能 是 作 高 作
1v, 造成 重大的 电源 消耗 在 这 承担
场效应晶体管 和 wasting precious 电池 电源.
这 UCC3957 有 一个 唯一的 “Smart Discharge” 特性
那 准许 这 承担 场效应晶体管 至 来到 后面的 在 (为 dis-
承担 仅有的) 当 安静的 在 这 overcharge hysteresis 带宽.
这个 非常 减少 电源 消耗 在 这 承担
场效应晶体管. 这个 是 accomplished 用 感觉到 这 电压 漏出
横过 这 电流 sense 电阻. 如果 这个 漏出 超过
15mV (相应的 至 0.6 放大器 的 释放 电流
使用 一个 .025 sense 电阻), 这 承担 场效应晶体管 是 转变
后面的 在. 这个 门槛 assures 那 仅有的 释放 cur-
rent 将 是 安排. 在 一个 例子 使用 一个 20m 场效应晶体管
和 一个 1V 身体 二极管 漏出 和 一个 1 放大 加载, 这 电源
消耗 在 Q1 将 是 减少 从 1 watt 至 0.02
watts. 便条 那 一个 类似的 技巧 是 不 使用 在
承担 (当 这 释放 场效应晶体管 是 止 预定的 至 cells 正在
在 欠压) 因为 这 承担 电流 应当 是
低 当 这 cells 是 在 欠压.
保护 相反 一个 runaway charger
这 使用 的 一个 小 n-频道 水平的 shifter (q3 在 这 ap-
plication 图解) 准许 这 IC 至 接口 和 这
高-一侧 承担 场效应晶体管 (q1), 甚至 在 这 存在 的 一个
runaway charger. 仅有的 这 流-源 电压 比率 的
这 承担 场效应晶体管 限制 这 承担 电压 那 这 protec-
tion 电路 能 承受. 这 Wakeup (wu) 管脚 是 de-
signed 至 handle 输入 电压 更好 比 vdd, 作
长 作 这 电流 是 限制. 在 这 examples 显示, 这
承担 FET’s 门-源 电阻 (r1) 提供 这个
电流 限制的. 便条 那 在 图示 2, 一个 电阻 和
齐纳 (r2 和 vr1) 有 被 增加 至 保护 Q1
相反 任何 possibility 的 一个 电压 瞬时 exceeding
它的 最大 门-源 比率.
overcurrent 保护
这 UCC3957 保护 这 电池 包装 从 一个 在-
加载 或者 一个 hard 短的 电路 使用 一个 二-tier overcurrent
保护 scheme. 这 overcurrent 保护 是 de-
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