6
ucc3957 -1/-2/-3/-4
0.1
1
10
100
1000
0.001 0.01 0.1
CDLY1 (
µ
f)
延迟 时间 (msec)
延迟 止 时间
图示 3. 典型 tier 1 overcurrent 延迟 时间 和
止 时间 vs. cdly1.
应用 信息 (持续)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0 10203040
CDLY2 (pf)
延迟 时间 (
µ
秒)
图示 4. 典型 tier 2 overcurrent 延迟 时间 vs.
cdly2.
signed 至 go 在 一个 hiccup 模式 当 这 电压 漏出
横过 一个 外部 sense 电阻 (连接 至 这 AN4
和 BATLO 管脚) 超过 一个 确实 门槛. 在 这个
模式, 这 释放 场效应晶体管 是 periodically 转变 止 和
在 直到 这 故障 是 移除. Once 这 故障 是 移除,
正常的 运作 是 automatically resumed.
至 facilitate charging 大 电容的 负载, 那里 是
二 overcurrent 门槛 电压, 各自 和 它的 自己的
用户 可编程序的 时间 延迟. 这个 二-tier approach
提供 快 回馈 至 短的 电路, 当 enabling
这 电池 包装 至 提供 短的 持续时间 surge 电流.
它 也 facilitates 这 charging 的 大 过滤 caps 没有
造成 nuisance overcurrent trips.
这 第一 tier 门槛 是 150mV 名义上的, 相应的
至 6 放大器 使用 一个 .025 sense 电阻 作 显示 在 这
examples 的 Fig’s1&放大;2.ifthe包装 释放 电流 ex-
ceeds 这个 数量 为 一个 时期 的 时间, 决定 用 这
电容 在 这 CDLY1 管脚, 然后 这 hiccup 模式 将 是
entered. 这 第一 tier hiccup 职责 循环 是 fixed 在 approx-
imately 6%, 降低 电源 消耗 在 这 事件 的
一个 sustained 超载. 这 绝对 在 和 止 时间 的
这 释放 场效应晶体管 (q2) 是 控制 用 这 CDLY1 ca-
pacitor. 一个 曲线 联系 这 延迟 (在) 时间 至 这个 capac-
itor 值 是 显示 在 图示 3. 这 止 时间 是
大概 17 时间 变长 比 这 在 时间.
这 第二 tier overcurrent 门槛 是 nominally
375mv, 相应的 至 15 放大器 使用 一个 .025 sense
电阻. 如果 这 包装 电流 超过 这个 值 为 一个 pe-
riod 的 时间, 决定 用 这 电容 在 这 CDLY2
管脚, 然后 这 hiccup 模式 将 是 entered 和 一个 更
更小的 职责 循环, 典型地 较少 比 1%. 这 relationship
的 这个 时间 延迟 (在 时间) 至 这 CDLY2 电容 值
是 显示 在 这 曲线 的 图示 4. 这 止 时间 在 这个
hiccup 模式 是 安静的 决定 用 这 CDLY1 电容,
作 先前 描述. 这个 技巧 非常 减少
这 压力 和 电源 消耗 在 这 FETs 在 短的
电路 情况.
在 这 examples 显示 在 Fig’s1&放大;2(和
cdly1=.022 f), 这 第一 tier overcurrent 在 时间 将 是
关于 10msec, 当 这 止 时间 将 是 关于 170msec,
结果 在 一个 5.9% 职责 循环 为 电流 在 6 放大器
(但是 较少 比 15 放大器). 如果 非 CLDY2 电容 是 使用,
这 第二 tier 在 时间 将 是 较少 比 200 秒 (作-
suming 非 偏离 电容), 结果 在 一个 职责 循环 的
关于 0.1% 为 电流 在 15 放大器. 如果 cdly2=22pf,
这 典型 在 时间 为 电流 exceeding 15 放大器 将
是 关于 800usec, 结果 在 一个 职责 循环 的 0.5%.
protecting 相反 inductive kick 在 转变-止
在 这 情况 的 一个 短的 电路, 这 di/dt 那 occurs 当
这 释放 场效应晶体管 是 转变 止 能 结果 在 一个 重大的
电压 undershoot 在 这 包装 输出 预定的 至 偏离 induc-
tance. 这个 undershoot 能 可能地 超过 这 破裂-
向下 电压 比率 的 这 释放 场效应晶体管. 一个 clamp 二极管
(d1 在 Fig’s 1, 2 &放大; 3), 或者 一个 电容 横过 这 包装 输出-
放, 保护 相反 这个 possibility. 一个 二极管 也 pro-
vides 保护 从 一个 反转 极性 charger.
在 转变-止, 一个 电压 越过 能 出现 在 这 顶
的 这 cell 堆栈, 预定的 至 线路 电感 和 这 cells’
内部的 ESL (相等的 序列 电感). 在 非常
高 di/dt 情况, 此类 作 那 这个 occurs 当
turning 止 在 回馈 至 一个 短的 电路, 这个 电压
越过 能 是 重大的 和 可能地 损坏 这
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