首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1077192
 
资料名称:2SD1609, 2SD1610
 
文件大小: 33196K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Triple Diffused
 
 


: 点此下载
  浏览型号2SD1609, 2SD1610的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号2SD1609, 2SD1610的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号2SD1609, 2SD1610的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号2SD1609, 2SD1610的Datasheet PDF文件第5页
5
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sd1609, 2sd1610
2
电的 特性
(ta = 25°c)
2SD1609 2SD1610
Item 标识 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基
损坏 电压
V
(br)cbo
160 200 V I
C
= 10 µa, i
E
= 0
集电级 至 发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
160 200 V I
C
= 1 毫安, r
=
发射级 至 根基
损坏 电压
V
(br)ebo
5 5 V I
E
= 10 µa, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
10 µA V
CB
= 140 v, i
E
= 0
10 V
CB
= 160 v, i
E
= 0
直流 电流 tarnsfer 比率 h
FE1
*
1
60 320 60 320 V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安
h
FE2
30 30 V
CE
= 5 v, i
C
= 1 毫安
根基 至 发射级 电压 V
1.5 1.5 V V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安
集电级 至 发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
2 2 V I
C
= 30 毫安, i
B
= 3 毫安
增益 带宽 产品 f
T
140 140 MHz V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安
集电级 输出
电容
Cob 3.8 3.8 pF V
CB
= 10 v, i
E
= 0,
f = 1 mhz
便条: 1. 这 2sd1609 和 2sd1610 是 grouped 用 h
FE1
作 跟随.
B C D
60 至 120 100 至 200 160 至 320
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com