2sd1609, 2sd1610
2
电的 特性
(ta = 25°c)
2SD1609 2SD1610
Item 标识 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基
损坏 电压
V
(br)cbo
160 — — 200 — — V I
C
= 10 µa, i
E
= 0
集电级 至 发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
160 — — 200 — — V I
C
= 1 毫安, r
是
=
∞
发射级 至 根基
损坏 电压
V
(br)ebo
5 — — 5 — — V I
E
= 10 µa, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
— — 10 — — — µA V
CB
= 140 v, i
E
= 0
— — — — — 10 V
CB
= 160 v, i
E
= 0
直流 电流 tarnsfer 比率 h
FE1
*
1
60 — 320 60 — 320 V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安
h
FE2
30 — — 30 — — V
CE
= 5 v, i
C
= 1 毫安
根基 至 发射级 电压 V
是
— — 1.5 — — 1.5 V V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安
集电级 至 发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
— — 2 — — 2 V I
C
= 30 毫安, i
B
= 3 毫安
增益 带宽 产品 f
T
— 140 — — 140 — MHz V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安
集电级 输出
电容
Cob — 3.8 — — 3.8 — pF V
CB
= 10 v, i
E
= 0,
f = 1 mhz
便条: 1. 这 2sd1609 和 2sd1610 是 grouped 用 h
FE1
作 跟随.
B C D
60 至 120 100 至 200 160 至 320