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2sd1609, 2sd1610 硅 npn 外延的应用低频率高电压放大器 complementary 一双和 2sb1109 和 2sb1110 外形绝对最大比率 (ta = 25°c) 比率 Item 标识 2SD1609 2SD1610 单位集电级至根基电压 V CBO 160 200 V 集电级至发射级电压 V CEO 160 200 V 发射级至根基电压 V EBO 5 5 V 集电级电流 I C 100 100 毫安集电级电源消耗 P C 1.25 1.25 W 接合面温度 Tj 150 150 °C 存储温度 Tstg –45 至 +150 –45 至 +150 °C

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