hb56hw164db 序列,
hb56hw165db 序列
1,048,576-文字
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64-位 高 密度 动态 内存 单元
ade-203-699a (z)
rev.1.0
dec. 27, 1996
描述
这 hb56hw164db 是 一个 1m
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64 动态 内存 小 外形 双 在-线条 记忆 单元
(s.o.dimm), 挂载 4 片 的 16-mbit dram (hm51w16165) sealed 在 tsop 包装 和 1 片
的 串行 可擦可编程只读存储器 (24c02) 为 存在 发现 (pd). 这 hb56hw165db 是 一个 1m
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64 动态 内存
小 外形 双 在-线条 记忆 单元 (s.o.dimm), 挂载 4 片 的 16-mbit dram
(hm51w18165) sealed 在 tsop 包装 和 1 片 的 串行 可擦可编程只读存储器 (24c02) 为 存在 发现
(pd). 这 hb56hw164db, hb56hw165db 提供 扩展 数据 输出 (edo) 页 模式 作 一个 高 速
进入 模式. 一个 外形 的 这 hb56hw164db, hb56hw165db 是 144-管脚 zig zag 双 tabs 插座
类型 紧凑的 和 薄的 包装. 因此, 这 hb56hw164db, hb56hw165db 制造 高 密度
挂载 可能 没有 表面 挂载 技术. 这 hb56hw164db, hb56hw165db 提供
一般 数据 输入 和 输出. 解耦 电容 是 挂载 在 这 单元 板.
特性
•
144-管脚 zig zag 双 tabs 插座 类型
外形: 67.60 mm (长度)
×
25.40 mm (height)
×
3.80 mm (厚度)
含铅的 程度: 0.80 mm
•
单独的 3.3 v (
±
0.3 v) 供应
•
高 速
进入 时间: t
RAC
= 60/70 ns (最大值)
t
CAC
= 15/18 ns (最大值)
•
低 电源 消耗
起作用的 模式: 1.44/1.30 w (最大值) (hb56hw164db series)
2.45/2.16 w (最大值) (hb56hw165db 序列)
备用物品 模式 (ttl): 28.8 mw (最大值)
(cmos): 2.16 mw (最大值) (l-version)
•
edo 页 模式 能力
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