HB56HW164DB Series,_集成电路资料查询网

hb56hw164db 序列, hb56hw165db 序列
5
串行 pd 矩阵变换
(hb56hw164db)*
1
字节
号码 函数 描述 Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Comments
0 号码 串行 pd 字节 0000110113
1 串行 记忆 00001000256 字节
2 基本的 记忆 类型 00000010EDO
3 号码 的 rows 0000110012
4 号码 的 columns 000010008
5 号码 的 banks 000000011
6 数据 宽度 0100000064
7 数据 宽度 (持续) 000000000 (+)
8 电压 接口 00000001LVTTL
(3.3v)
9
RAS
进入 时间
60 ns 00111100
70 ns 01000110
10
CAS
进入 时间
15 ns 00001111
18 ns 00010010
11 错误 发现/corraction 00000000毫无
12 refresh 时期 00000000正常的
(15.625
µ
s)
refresh 时期 (l-版本) 10000011自 refresh
(31.3
µ
s)
便条: 1. 串行-pd 数据 是 不 保护.
1:  高 水平的 (串行 数据)
0:  低 水平的 (串行 数据)

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hb56hw164db 序列, hb56hw165db 序列 5 串行 pd 矩阵变换 (hb56hw164db)* 1 字节号码函数描述 Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Comments 0 号码串行 pd 字节 0000110113 1 串行记忆 00001000256 字节 2 基本的记忆类型 00000010EDO 3 号码的 rows 0000110012 4 号码的 columns 000010008 5 号码的 banks 000000011 6 数据宽度 0100000064 7 数据宽度 (持续) 000000000 (+) 8 电压接口 00000001LVTTL (3.3v) 9 RAS 进入时间 60 ns 00111100 70 ns 01000110 10 CAS 进入时间 15 ns 00001111 18 ns 00010010 11 错误发现/corraction 00000000毫无 12 refresh 时期 00000000正常的 (15.625 µ s) refresh 时期 (l-版本) 10000011自 refresh (31.3 µ s) 便条: 1. 串行-pd 数据是不保护. 1: 高水平的 (串行数据) 0: 低水平的 (串行数据)

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