hm534251b 序列
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高-速 页 模式 循环
(
DT
/
OE
高 和
CAS
高 在 这 下落 边缘 的
RAS
)
高-速 页 模式 循环 读/写 这 数据 的 这 一样 行 地址 在 高 速 用 toggling
CAS
当
RAS
是 低. 它的 循环 时间 是 一个 第三 的 这 随机的 读/写 循环. 便条 那 地址 进入 时间
(t
AA
),
RAS
至 column 地址 延迟 时间 (t
RAD
), 和 进入 时间 从
CAS
precharge (t
ACP
) 是 增加. 在 一个
RAS
循环, 512-文字 记忆 cells 的 这 一样 行 地址 能 是 accessed. 它 是 需要 至 具体说明
进入 频率 在里面 t
RASP
最大值 (100
µ
s).
转移 运作
这 hm534251b 提供 这 读 转移 循环, pseudo 转移 循环 和 写 转移 循环 作 数据
转移 循环. 这些 转移 循环 是 设置 用 驱动
CAS
高 和
DT
/
OE
低 在 这 下落 边缘 的
RAS
.
它们 有 下列的 功能:
(1) 转移 数据 在 行 地址 和 sam 数据 寄存器 (除了 为 pseudo 转移 循环)
读 转移 循环:内存 至 sam
写 转移 循环:sam 至 内存
(2) 决定 si/o 状态
读 转移 循环:si/o 输出
pseudo 转移 循环
和 写 转移 循环: si/o 输入
(3) 决定 第一 sam 地址 至 进入 之后 transferring 在 column 地址 (sam 开始 地址).
sam 开始 地址 必须 是 决定 用 读 转移 循环 或者 pseudo 转移 循环 之后 电源 在, 和
决定 为 各自 转移 循环.
读 转移 循环
(
CAS
高,
DT
/
OE
低 和
我们
高 在 这 下落 边缘 的
RAS
)
这个 循环 变为 读 转移 循环 用 驱动
DT
/
OE
低 和
我们
高 在 这 下落 边缘 的
RAS
. 这
行 地址 数据 (512
×
4-位) 决定 用 这个 循环 是 transferred 至 sam 数据 寄存器 synchronously 在
这 rising 边缘 的
DT
/
OE
. 之后 这 rising 边缘 的
DT
/
OE
, 这 新 地址 数据 输出 从 sam 开始
地址 决定 用 column 地址. 在 读 转移 循环,
DT
/
OE
必须 是 risen 至 转移 数据 从
内存 至 sam.
这个 循环 能 进入 sam 甚至 在 转移 (real 时间 读 转移). 在 这个 情况, 这 定时 t
SDD
(最小值)
指定 在 这 last sam 进入 在之前 转移 和
DT
/
OE
rising 边缘 和 t
SDH
(最小值) 指定
在 这 第一 sam 进入 和
DT
/
OE
rising 边缘 必须 是 satisfied. (看 图示 1.).
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