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资料编号:1078459
 
资料名称:IXTH40N30 
 
文件大小: 110467K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement MOSFET 
 
 


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3 - 4
© 2000 ixys 所有 权利 保留
ixth 35n30 ixth 40n30
ixtm 40n30
T
J
- degrees c
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
bv/v
g(th)
- normalized
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
T
C
- degrees c
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
- amperes
0
10
20
30
40
50
40N30
T
J
- degrees c
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
R
ds(在)
- normalized
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
I
D
- amperes
0 20406080100120
R
ds(在)
- normalized
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
V
GS
- 伏特
012345678910
I
D
- amperes
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
DS
- 伏特
02468101214
I
D
- amperes
0
10
20
30
40
50
60
70
80
6V
5V
35N30
8V
7V
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10v
V
GS
= 15v
BV
DSS
V
gs(th)
V
GS
= 10v
I
D
= 20a
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
图. 1 输出 特性 图. 2 输入 admittance
图. 3 R
ds(在)
vs. 流 电流 图. 4 温度 dependence
的 流 至 源 阻抗
图. 5 流 电流 vs. 图. 6 温度 dependence 的
情况 温度 损坏 和 门槛 电压
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