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资料编号:1078459
 
资料名称:IXTH40N30 
 
文件大小: 110467K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement MOSFET 
 
 


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4 - 4
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ixth 35n30 ixth 40n30
ixtm 40n30
V
DS
- 伏特
110100
I
D
- amperes
1
10
100
门 承担 - ncoulombs
0 25 50 75 100 125 150 175 200
V
GE
- 伏特
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 伏特
0.00.20.40.60.81.01.21.41.6
I
D
- amperes
0
10
20
30
40
50
60
70
80
vds - 伏特
0 5 10 15 20 25
电容 - pf
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
时间 - 秒
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
热的 回馈 - k/w
0.001
0.01
0.1
1
d=0.5
d=0.2
d=0.1
d=0.05
d=0.02
d=0.01
C
rss
300
10µs
100µs
1ms
10ms
100ms
C
oss
限制 用 r
ds(在)
V
DS
= 150v
I
D
= 21a
I
G
= 10ma
C
iss
单独的 脉冲波
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
f = 1 mhz
V
DS
= 25v
图.7 门 承担 典型的 曲线 图.8 向前 偏差 safe 运行 范围
图.11 瞬时 热的 阻抗
图.9 电容 曲线 图.10 源 电流 vs. 源
至 流 电压
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