xpc750p risc 微处理器 硬件 specifications
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preliminary—subject 至 改变 没有 注意
电的 和 热的 特性
图示 1 显示 这 permitted undershoot 和 越过 电压 在 这 xpc750p.
图示 1. 越过/undershoot 电压
表格 3 提供 这 推荐 运行 情况 为 这 xpc750p.
表格 4 提供 这 包装 热的 特性 为 这 xpc750p.
便条:
谈及 至 部分 1.8, “system 设计 信息,” 为 更多 详细信息 关于 热的 管理.
表格 3. 推荐 运行 情况
典型的 标识 300, 333mhz 366MHz 400MHz 单位
核心 供应 电压 Vdd 1.9 ± 100mv 2.05 ± 50mv 2.05 ± 50mv V
pll 供应 电压 AVdd 1.9 ± 100mv 2.05 ± 50mv 2.05 ± 50mv V
l2 dll 供应 电压 L2AVdd 1.9 ± 100mv 2.05 ± 50mv 2.05 ± 50mv V
60x 总线 供应 电压 OVdd 3.3 ± 165mv 3.3 ± 165mv 3.3 ± 165mv V
l2 总线 供应 电压 L2OVdd 3.3 ± 165mv 3.3 ± 165mv 3.3 ± 165mv V
输入 电压 V
在
地 至 ovdd 地 至 ovdd 地 至 ovdd V
消逝-接合面 温度 T
j
0 至 105 0 至 105 0 至 65 °C
便条:
这些 是 这 推荐 和 测试 运行 情况. 恰当的 设备 运作 外部 的 这些
情况 是 不 有保证的.
表格 4. 包装 热的 特性
典型的 标识 值 比率
cbga 包装 热的 阻抗, 接合面-至-情况 热的 阻抗 (典型)
θ
JC
0.03 °c/w
cbga 包装 热的 阻抗, 消逝 接合面-至-含铅的 热的 阻抗 (典型)
θ
JB
3.8 °c/w
V
IH
地
地 - .3v
地 - 1.0v
不 至 超过 10%
4V
V
IL
(l2)ovdd
(l2)ovdd + 5%
的 t
SYSCLK