飞利浦 半导体 产品 规格
双 n-频道 增强 模式 PHN210T
TrenchMOS
TM
晶体管
图.5. 典型 输出 特性, t
j
= 25 ˚c
.
I
D
= f(v
DS
); 参数 v
GS
图.6. 典型 在-状态 阻抗, t
j
= 25 ˚c
.
R
ds(在)
= f(i
D
); 参数 v
GS
图.7. 典型 转移 特性.
I
D
= f(v
GS
); 参数 t
j
图.8. 典型 跨导, t
j
= 25 ˚c
.
g
fs
= f(i
D
)
; 参数 t
j
图.9. normalised 流-源 在-状态 阻抗.
一个 = r
ds(在)
/r
ds(在)25 ˚c
= f(t
j
)
图.10. 门 门槛 电压.
V
gs(至)
= f(t
j
); 情况: i
D
= 1 毫安; v
DS
= v
GS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
流-源 电压, vds (v)
流 电流, id (一个)
3.2 v
3.4 v
4 v
tj = 25 c
vgs = 20 v
3.6 v
3.8 v
5V
10 v
4.2 v
0
1
2
3
4
5
6
012345678910
流 电流, id (一个)
跨导, gfs (s)
tj = 25 c
150 c
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
012345678910
流 电流, id (一个)
流-源 在 阻抗, rds(在) (ohms)
vgs =5 v
4.2 v
20V
tj = 25 c
3.8v 4 v
3.6 v
10V
3.2 v
3.4 v
-50 0 50 100 150
0
0.5
1
1.5
2
sot223 30v trench
tj / c
一个
normalised rds(在) = f(tj)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6
门-源 电压, vgs (v)
流 电流, id (一个)
vds > id x rds(在)
tj = 25 c
150 c
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
tj / c
vgs(至) / v
4
3
2
1
0
最大值
典型值
最小值
march 1999 4 rev 1.000
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